Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Барьер Шоттки Pd/ n-GaAs как фотодетектор водорода

Тихов С.В.¹, Лесников В.П.¹, Подольский В.В.¹, Шилова М.В.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 13 июля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При атмосферном давлении в потоке воздушно-аргонной смеси исследованы кинетика и стационарный фотовольтаический эффект (ФВЭ) в барьере Шоттки (БШ) Pd/n-GaAs на основе эпитаксиальных пленок и монокристаллов полупроводника под воздействием водорода с концентрацией =<sssim7.8·10^-2 объемных % в диапазоне температур 300-420 K. Установлена высокая чувствительность БШ к H₂ (~=2.5·10^-4%), а при T>~=400 K и высокое быстродействие ~1-10 с. Показано, что механизм влияния H₂ на ФВЭ связан с уменьшением высоты БШ, происходящим в основном из-за уменьшения работы выхода из Pd. Процессы адсорбции и десорбции H₂ описываются изотермой Темкина. Из кинетических кривых ФВЭ определены значения энергии связи водорода на внешней (~=1.96 эВ) и внутренней (~=1.50 эВ) границах Pd в условиях измерений.

Евдокимов А.В. и др. Зарубежная электронная техника. 1988. N 2 (321). С. 3--39
Ковалевская Г.Г., Кратена Л., Мередов М.М. и др. Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. Вып. 12. С. 55--58
Слободчиков С.В., Ковалевская Г.Г., Мередов М.М. и др. Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. Вып. 15. С. 1--4
Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Руссу Е.В. и др. ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. 2. С. 185--190
Nie H.Y., Nannichi Y. Jap. J. Appl. Phys. 1991. Vol. 30. N 5. P. 906--913
Petty M.C. Sol. St. Electron. 1986. N 29. P. 89--97
Родерик Э.Х. Контакты металл--полупроводник. М.: Радио и связь, 1982
Petersson L.G., Dunnetum H.M., Fogelberg J., Lundstrom J. J. Appl. Phys. 1985. N 1. Vol. 58. P. 404--416
Ржанов А.В., Филиппов В.И. Микроэлектроника. 1990. Т. 19. N 1. С. 106--109

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель