Движение включений галлия в GaAs как возможный механизм деградации
Конакова Р.В.1, Ильин И.Ю.1, Миленин В.В.1, Прокопенко И.В.1, Прима Н.А.1, Слуцкий М.И.1, Статов В.А.1, Тхорик Ю.А.1, Филатов М.Ю.1
1Институт физики полупроводников АН Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Предложен механизм и обоснована модель деградации арсенид-галлиевых приборов, содержащих включения галлия. Модель использует тот факт, что, как показано в работе, включения галлия под действием градиента температуры или электрического потенциала перемещаются со значительными скоростями в рабочую область прибора.
- Козейкин В.Ф., Фролов И.А., Высоцкий С.А. ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 1. С. 175--177
- Постников В.С., Паршин А.В., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П. Письма в ЖТФ. 1978. Т. 4. Вып. 12. С. 470
- Василенко Н.Д., Городниченко О.К., Марончук И.Е., Марончук Э.Е. ЖТФ. 1980. Т. 50. Вып. 6. С. 1355--1357
- Глушков Е.А., Измайлов Н.В., Литвин А.А. и др. Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1985. Т. 21. N 12. С. 2003--2005
- Мильвидский М.Г., Освенский В.В. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводниковых приборов. М.: Металлургия, 1985
- Василенко Н.Д., Горбатюк А.Я., Марончук И.Е. Изв. вузов. Физика. 1988. Т. 31. N 2. С. 32--35
- Charniy L.A., Scherbachev K.D., Bublik V.T. Phys. St. Sol. (a). 1991. Vol. 128. N 2. P. 303--309
- Городниченко О.К. Высокотемпературные пластичность и прочность эпитаксиальных структур арсенида галлия. Киев: Вища школа, 1993. 142 с
- Лев Б.И., Торчинская Т.В., Томчук П.М., Шейнкман М.К. ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 9. С. 1529--1538
- Кернер Б.С., Козлов Н.А., Нечаев А.М., Синкевич В.Ф. Микроэлектроника. 1983. Т. 12. N 3. С. 217--225
- Ващенко В.А., Кернер Б.С., Осипов В.В., Синкевич В.Ф. ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 8. С. 1378--1380
- Гегузин Я.Е., Кривоглаз М.А. Движение макроскопических включений в твердых телах. М.: Металлургия, 1971. 344 с
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975
- Велащенко Д.К. Явления переноса в жидких кристаллах и сплавах. М.: Атомиздат, 1970
- Конакова Р.В., Тхорик Ю.А., Файнберг В.И. и др. Электронная техника. Сер. 8. 1992. N 2 (149), 3 (150). С. 3--6
- Кривоглаз М.А., Масюкевич А.М., Рябошапка К.П. ФММ. 1977. Т. 43. N 4. С. 712--721
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 2. 456 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук