Механизмы перехода диэлектрик--полупроводник при ионно-термической обработке
Кабышев А.В.1, Конусов Ф.В.1, Лопатин В.В.1
1Научно-исследовательский институт высоких напряжений при Томском политехническом университете,, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 15 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.
- Lopatin V.V., Kabyshev A.V., Bushnev L.S. Phys. Stat. Sol. (a). 1989. Vol. 116. P. K69--K72
- Бушнев Л.С., Кабышев А.В., Лопатин В.В. Физика и химия обраб. матер. 1990. N 2. С. 5--11
- Кабышев А.В., Лопатин В.В. Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. N 7. С. 86--92
- Lopatin V.V., Konusov F.V. J. Phys. Chem. Sol. 1992. Vol. 53. N 6. P. 847--853
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. 472 с
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с
- Гриняев С.Н., Лопатин В.В. Изв. вузов. Физика. 1992. N 2. С. 27--32
- Кабышев А.В., Лопатин В.В., Конусов Ф.В. Матер. II конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью". М., 1993. Т. 3. С. 84--86
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук