Об особенностях химической перестройки межфазных границ металл--GaAs в присутствии второго компонента металлизации
Миленин В.В.1, Ляпин В.Г.1, Наумовец А.А.1
1Институт физики полупроводников АН Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.
Исследованы механизмы формирования и свойства межфазных границ в барьерных системах Шоттки с двухкомпонентной металлизацией. Объектами исследования служили гетероструктуры Au-Cr-GaAs и Cr-Pt-GaAs, отличающиеся компоненты металлизации которых (Au и Pt) обладают различной химической активностью по отношению к компонентам полупроводниковой подложки. Химический состав переходных слоев и распределение элементов вдоль нормали к поверхности образца определялись методами рентгеновской фотоэлектронной и оже-электронной спектроскопии в сочетании с послойным ионным травлением. Полученные данные свидетельствуют о существенной роли второй металлической фазы в химических реакциях, протекающих на границах раздела исследованных гетероструктур.
- Brillson L.J. Surf. Sci. Rep. 1982. Vol. 2. N 2. P. 123--326
- Bachrach R.Z. Metal--Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications / Ed. by B.L. Sharma. New York; London: Plenum Press, 1984. P. 61--112
- Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакция / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир, 1982. 576 с
- Родерик Э.Х. Контакты металл--полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 208 с
- Белый В.И., Белослудов В.Р. Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников / Под ред. А.В. Ржанова, С.П. Репинского. Новосибирск: Наука, 1988. С. 43--90
- Matsas E.P., Dyner L.L., Primachenko V.E., Snitko O.V. Surf. Sci. 1970. Vol. 19. N 1. P. 109--116
- Миленин В.В., Полудин В.И., Примаченко В.Е. и др. Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы. 1977. Т. 13. N 3. С. 515--517
- Бедный Б.И., Калинин А.Н., Карпович И.А. Изв. вузов. Физика. 1977. N 3(178). С. 131--134
- Бехтерева О.В., Лившиц В.Г., Чурусов Б.К. Поверхность. 1990. N 10. С. 32--35
- Daimon H., Chung C.-I., Ino S., Watanabe Y. Surf. Sci. 1990. Vol. 235. N 2/3. P. 142--155
- Brillson L.J., Margaritondo G., Stoffel N.G. et al. J. Vac. Sci. and Technol. 1980. Vol. 17. N 5. P. 880--885
- Brillson L.J., Brucker C.F., Katnani A.D. et al. Surf. Sci. 1983. Vol. 132. N 1--3. P. 212--232
- Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989. 344 с
- Mukherjee S.D., Palmstron C.J., Smith J.C. J. Vac. Sci. and Technol. 1980. Vol. 17. N 5. P. 904--910
- Zeng X.-F., Chung D.D.L. Sol. St. Electron. 1984. Vol. 27. N 4. P. 339--345
- Williams M.D., Kendelewicz T., List R.S. et al. J. Vac. Sci. and Technol. 1985. Vol. B3. N 4. P. 1202--1205
- McGilp J.F., McLean A.B. J. Phys. C. 1988. Vol. 21. N 4. P. 807--818
- Kumar V. J. Phys. Chem. Solids. 1975. Vol. 36. N 6. P. 535--541
- Begley D.L., Alexander R.W., Bell R.J., Goben C.A. Surf. Sci. 1981. Vol. 104. N 2/3. P. 341--353
- Благородные металлы. Справочник / Под ред. Е.М. Савицкого. М.: Металлургия, 1984. 592 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
