Вышедшие номера
Электронные процессы в гетероструктуре a-WO 3/Si при электро- и фотохромизме
Тутов Е.А.1, Кукуев В.И.1, Баев А.А.1, Бормонтов Е.Н.1, Домашевская Э.П.1
1Воронежский государственный университет,, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Гетероструктура a-WO3/Si получена вакуумной конденсацией термически испаренного порошка тиоксида вольфрама на подложку n-Si в условиях, приводящих к формированию прозрачной пленки WO3 (стехиометрической) и с центрами окраски (частично восстановленной). Для обоих типов структур измерены ВЧ ВФХ и исследовано влияние на зарядовые параметры гетероперехода наведения центров окраски в a-WO3 при двойной инжекции в нее протонов и электронов и при УФ облучении с различной экспозицией. В структуре с пленкой WO3-x обнаружен моноэнергетический уровень быстрых поверхностных состояний, расположенный на 0.06 эВ ниже уровня Ферми в Si. Плотность состояний на этом уровне возрастает при электрохромизме и уменьшается при фотохромном процессе. Предложена структурно-энергетическая модель процесса окрашивания.