Вышедшие номера
Выявление и анализ дефектов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях на основе CdTe методами рентгеновской топографии
Шульпина И.Л.1, Аргунова Т.С.1, Ратников В.В.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Проанализированы изображения структурных дефектов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях на основе CdTe, а также условия выявления дефектов методами рентгеновской дифракционной топографии. Экспериментально найденные оптимальные условия выявления дефектов обсуждаются на основе известных выводов динамической теории дифракции рентгеновских лучей. Показано, что в условиях большого поглощения рентгеновских лучей, реализуемых для CdTe в Cu Kalpha-излучении, контраст дефектов является преимущественно ориентационным. Расшифрованы специфические изображения включений, выдавливающих дислокационные петли.