Вышедшие номера
Фоточувствительность гетероструктур p-n-GaAs-- n-GaP/ n-Si в линейно поляризованном излучении
Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Топчий А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе созданы гетероструктуры p-n-GaAs--n-GaP/n-Si и исследована их фоточувствительность в естественном и линейно поляризованном излучении. Установлено, что фоточувствительность этих структур определяется процессами поглощения и преобразования в активной области гомо-p-n-перехода из GaAs, тогда как эпитаксиальный буферный слой GaP позволяет снизить рекомбинационные потери и наряду с кремниевой подложкой практически не участвует в процессах фоточувствительности. Обнаружена и исследована поляризационная фоточувствительность гетероструктур из GaAs. Показано, что аномалия в угловой зависимости фототока, наблюдаемого при совмещении плоскости поляризации излучения с плоскостью падения, обусловлена несовершенством наружной поверхности p-GaAs. Обсуждаются угловая и спектральная зависимости азимутальной фоточувствительности полученных структур. Сделан вывод о возможностях использования структур p-n-GaAs--n-GaP/n-Si в качестве фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.
  1. Fang S.F., Adomi K., Lyer S. et al. J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. N 7. P. R31--R58
  2. Christou A., Stoemeos J., Flevaris N. et al. J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. N 7. P. 3298--3302
  3. Закурдаев И.В., Садофьев Ю.Г., Сеничкин А.П., Суворов А.М. Электронная пром-сть. 1990. N 8. С. 36--38
  4. Винекуров Д.А., Лантратов В.М., Синицын М.А. и др. ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 6. С. 1022--1029
  5. Windhorn T.H., Metze G.M., Tsaur B.Y., Fan C.C. Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 45. N 4. P. 309--311
  6. Deppe D.G., Hall D.C., Holonjak N. et al. Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 53. N 10. P. 874--876
  7. Itoh Y., Nishioka T., Yamamoto A., Yamaguchi M. Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 52. N 19. P. 1617--1618
  8. Жиляев Ю.В., Липко А.Л., Мынбаева М.Г. и др. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 7. С. 30--33
  9. Андреев В.М., Антипов В.Г., Калиновский В.С. и др. ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 1. С. 141--145
  10. Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Назаров Н. и др. ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 4. С. 668--673
  11. Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1979. 686 c
  12. Конников С.Г., Мелебаев Д., Рудь В.Ю., Сергинов М. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 12. С. 39--42

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.