Вышедшие номера
Механизм формирования неоднородного распределения примесей вдоль оси роста слитков кремния, выращенных методом Чохральского
Литвинов В.В.1, Покотило Ю.М.1, Уренев В.И.1
1Белорусский государственный университет,, Минск
Поступила в редакцию: 28 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

  1. Zulehner W. Defect Control in Semiconductors / Ed. K. Sumino. North-Holland, 1990. P. 143--155
  2. Литвинов В.В., Петух А.Н., Покотило Ю.М., Уренев В.И. Современные проблемы лазерной физики и спектроскопии. Гродно, 1993. С. 250--252
  3. Litvinov V.V., Pokotilo Yu.M., Urenev V.I. Intern. Conf. on Optical Characterization of Semicond. Sofia, 1990. P. 31
  4. Series R.W. J. Cryst. Growth. 1989. Vol. 97. P. 85--91
  5. Catos H.C. Defect Control in Semiconductors / Ed. K.Sumino. North-Holland, 1990. P. 3--15
  6. Knuteson D.J. et al. J. Cryst. Growth. 1991. Vol. 109. P. 127--132
  7. Лоскутов А.Ю., Михайлов А.С. Введение в синергетику. М.: Наука, 1990. 270 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.