Механизм формирования неоднородного распределения примесей вдоль оси роста слитков кремния, выращенных методом Чохральского
Литвинов В.В.1, Покотило Ю.М.1, Уренев В.И.1
1Белорусский государственный университет,, Минск
Поступила в редакцию: 28 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
- Zulehner W. Defect Control in Semiconductors / Ed. K. Sumino. North-Holland, 1990. P. 143--155
- Литвинов В.В., Петух А.Н., Покотило Ю.М., Уренев В.И. Современные проблемы лазерной физики и спектроскопии. Гродно, 1993. С. 250--252
- Litvinov V.V., Pokotilo Yu.M., Urenev V.I. Intern. Conf. on Optical Characterization of Semicond. Sofia, 1990. P. 31
- Series R.W. J. Cryst. Growth. 1989. Vol. 97. P. 85--91
- Catos H.C. Defect Control in Semiconductors / Ed. K.Sumino. North-Holland, 1990. P. 3--15
- Knuteson D.J. et al. J. Cryst. Growth. 1991. Vol. 109. P. 127--132
- Лоскутов А.Ю., Михайлов А.С. Введение в синергетику. М.: Наука, 1990. 270 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук