Моделирование боковых эффектов при имплантации в многослойные мишени
Комаров Ф.Ф.1, Мозолевский И.Е.1, Рогач В.П.1
1Белорусский государственный университет,, Минск
Поступила в редакцию: 5 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.
С увеличением степени интеграции в современной технологии производства интегральных схем точное моделирование двумерных эффектов становится все более актуальным. В настоящей работе предлагается эффективное решение указанной проблемы с помощью программного комплекса двумерного моделирования локальной ионной имплантации в многослойные мишени, основанного на численном решении уравнения Больцмана.
- Furukawa S., Matsumura H., Ishiwara H. Jap. J. Appl. Phys. 1972. Vol. 23. P. 134
- Буренков А.Ф., Курганов А.Г., Конопляник Г.Г. Поверхность. 1989. N 8. С. 52
- Каргашин А.Е., Садовников А.Д. Радиоэлектроника. 1990. N 3. С. 51
- Barthel A., Lorenz J., Ryssel H. Nucl. Instr. and Meth. 1989. Vol. b37/38. P. 312
- Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark J. The Stopping and Range of Ions in Solids. New York: Pergamon, 1985
- Giles M.D. IEEE Transactions on Computer-Aided Design. 1988. Vol. CAD-5. P. 679
- Takeda T., Yoshi A. IEEE Electron Device Lett. 1983. Vol. EDL-4. P. 430
- Комаров Ф.Ф., Корзюк А.В., Мозолевский И.Е., Рогач В.П. Микроэлектроника. 1992. Т. 21. С. 60--66
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук