Вышедшие номера
Моделирование боковых эффектов при имплантации в многослойные мишени
Комаров Ф.Ф.1, Мозолевский И.Е.1, Рогач В.П.1
1Белорусский государственный университет,, Минск
Поступила в редакцию: 5 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

С увеличением степени интеграции в современной технологии производства интегральных схем точное моделирование двумерных эффектов становится все более актуальным. В настоящей работе предлагается эффективное решение указанной проблемы с помощью программного комплекса двумерного моделирования локальной ионной имплантации в многослойные мишени, основанного на численном решении уравнения Больцмана.
  1. Furukawa S., Matsumura H., Ishiwara H. Jap. J. Appl. Phys. 1972. Vol. 23. P. 134
  2. Буренков А.Ф., Курганов А.Г., Конопляник Г.Г. Поверхность. 1989. N 8. С. 52
  3. Каргашин А.Е., Садовников А.Д. Радиоэлектроника. 1990. N 3. С. 51
  4. Barthel A., Lorenz J., Ryssel H. Nucl. Instr. and Meth. 1989. Vol. b37/38. P. 312
  5. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark J. The Stopping and Range of Ions in Solids. New York: Pergamon, 1985
  6. Giles M.D. IEEE Transactions on Computer-Aided Design. 1988. Vol. CAD-5. P. 679
  7. Takeda T., Yoshi A. IEEE Electron Device Lett. 1983. Vol. EDL-4. P. 430
  8. Комаров Ф.Ф., Корзюк А.В., Мозолевский И.Е., Рогач В.П. Микроэлектроника. 1992. Т. 21. С. 60--66

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.