Вышедшие номера
Особенности перераспределения бора в приповерхностной области кремния при диффузии из боросиликатного стекла
Александров О.В.1, Афонин Н.Н.1, Аршинов О.М.1
1Воронежский педагогический институт
Поступила в редакцию: 19 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Методами дифференциальной проводимости и математического моделирования исследован процесс двухэтапной диффузии бора в кремний из боросиликатного стекла (БСС). Обнаружен эффект аномально сильного обеднения приповерхностной области кремния бором при отжиге в окислительной среде в случае присутствия в системе БСС--кремний образовавшегося на первом этапе диффузии обогащенного бором пограничного слоя SiB-фазы.
  1. Busen K.M., Fitzgibbons W.A., Tsong W.K. J. Electrochem. Soc. 1968. Vol. 115. N 3. P. 291--294
  2. Schwenker R.O. J. Electrochem. Soc. 1971. Vol. 118. N 2. P. 313--317
  3. Arai E., Nakamura H., Terunuma Y. J. Electrochem. Soc. 1973. Vol. 120. N 7. P. 980--987
  4. Negrini P., Ravaalia A., Solmi S. J. Electrochem. Soc. 1978. Vol. 125. N 4. P. 609--613
  5. Pignatel G., Queirolo G. J. Electrochem. Soc. 1979. Vol. 126. N 10. P. 1805--1810
  6. Fair R.B. Impurity Doping Process in Silicon / Ed. F.F.Y.Wang. New York: North-Holland Publishing Co., 1981. Ch. 7. P. 315--422
  7. Александров О.В., Афонин Н.Н. Изв. вузов. Физика. 1990. N 12. С. 97--98
  8. Fair R.B., Tsai J.C.C. J. Electrochem. Soc. 1978. Vol. 125. N 12. P. 2050--2058
  9. Самарский А.А. Теория разностных схем. М.: Наука, 1977. 656 с
  10. Colby J.W., Katz L.E. J. Electrochem. Soc. 1976. Vol. 123. N 3. P. 409--412

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.