Анизотропность высоковакуумного низкоэнергетического плазменного травления кремния
Яфаров Р.К.1, Мевлют Ш.Т.1, Терентьев С.А.1
1Институт радиотехники и электроники Саратов
Поступила в редакцию: 6 июля 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.
Проведены исследования анизотропности низкоэнергетического травления кремния во фторосодержащей плазме СВЧ газового разряда пониженного давления. Выявлены основные факторы, обусловливающие повышение анизотропности травления. Рассмотрена модель высоковакуумного травления с учетом рассеяния частиц от дна вытравливаемой структуры и специфики действия механизмов травления в диапазоне низких давлений и низких энергий ионов. Показано, что высокая анизотропность возникает при преварировании ионно-индуцированного механизма травления над спонтанным химическим травлением.
- Applications of plasma processes to VLSI technology Ed. by T.Sugano. New York: Wiley Intersci. Publ., 1985. 394 p
- Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н.Айнспрука, Д.Брауна. М.: Мир, 1989. 469 с
- Гуляев Ю.В., Яфаров Р.К. Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 24. С. 2211--2214
- Яфаров Р.К., Мевлют Ш.Т., Терентьев С.А. ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. 6. С. 000
- Petit B., Pelletier J., Pomot C. Rev. de Phys. Appliquee. 1986. Vol. 21. N 6. P. 377--384
- Winters H.F., Coburn J.M. J. Vac. Sci. Technol. 1985. Vol. B3. N 5. P. 1376--1381
- Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел / Под ред. Е.С.Машковой. М.: Мир, 1989. 349 с
- Трепнел Б. Хемосорбция. М.: ИЛ, 1958. 326 с
- Адапсон А. Физическая химия поверхности. М.: Мир, 1979. 569 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
