Рассчитаны спектры полного тока (СПТ) и спектры вторичной электронной эмиссии с угловым разрешением (СВЭЭУР) монокристалла Si по нормали к поверхностям (100), (110) и (111). При этом учитывались энергетическая зависимость уширения зонных уровней энергии, электрон-электронный вклад в функцию заполнения состояний, изотропная компонента тока от электронов, рассеянных на поверхности. Показано, что тонкая структура спектров обусловлена главным образом электронным строением конечных состояний, в которые попадают или из которых происходит эмиссия электронов. Развиваемый метод позволяет непосредственно восстанавливать особенности расположения зон в законе дисперсии электронов из экспериментальных данных и отделить объемные эффекты в спектрах от поверхностных.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.