Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О слое Шоттки вблизи заряженной полосы на поверхности полупроводника
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 20 августа 1992 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.
Найдено точное решение задачи о потенциале в слое Шоттки, образованном системой полосковых электродов на границе полупроводника и диэлектрика. Решение получено в предположении об одинаковости диэлектрических проницаемостей двух сред. Для случая одиночной равномерно заряженной полосы дается аналитическое выражение, описывающее форму слоя Шоттки. Вычисление потенциала сводится к однократному интегрированию некоторой явным образом заданной функции.
- Ефанов А.В., Энтин М.В. ФТП. 1987. Вып. 11. С. 2013--2017
- Ефанов А.В. ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. 3. С. 000
- Ефанов А.В., Энтин М.В. ЖЭТФ. 1987. Т. 93. Вып. 4(10). С. 1299--1303
- Лаврентьев М.А., Шабат Б.В. Методы теории функций комплексного переменного. М., 1965. 716 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
