Вышедшие номера
300 Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе кристаллов редкоземельных гранатов
Носенко А.Е.1, Шевчук В.Н.1
1Львовский университет им.И.Франко
Поступила в редакцию: 3 июня 1992 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Изучены различные фотоэлектрические свойства некоторых гранатов состава A3B2Ga3O12 (A - редкоземельный ион, B-Ga или Sc). Кристаллы фоточувствительны в области 200-400 нм и обладают селективной фоточувствительностью в полосах, соответствующих f-f-переходам РЗИ в УФ области. На основании экспериментального материала предложены резистивные фотоприемники УФ света, рабочим элементом которых служат кристаллы изученных составов. Рассчитаны параметры чувствительных элементов фотоприемников, анализируются пути улучшения их характеристик.