Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Параметры силовых кремниевых диодов, облученных электронами малых энергий

Аринушкин В.Н.¹, Берман Л.С.¹, Гейфман Е.М.¹, Конюхов А.В.¹, Ломасов В.Н.¹, Мнацаканов Т.Т.¹, Ременюк А.Д.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19 июня 1992 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние облучения электронами с энергией 600 и 900 кэВ на распределение прямого падения напряжения и переходные характеристики силовых кремниевых диодов. Показано, что использование электронов малых энергий, дающих экспоненциальное убывание радиационных дефектов в глубь диода, приводит к улучшению коэффициента формы диода. Кроме того, в высоковольтных диодах с малым временем обратного восстановления уменьшается прямое падение напряжения по сравнению с равномерным введением радиационных дефектов.

Wondrak W., Silber D. Physica. 1985. Bd 129(B,C). N 1--3. P. 322--326
Велмре Э.Э., Дерменжи П.Г., Удал А.Э. Электротехника. 1984. N 3. С. 47--51
Берман Л.С., Маляренко А.М., Ременюк А.Д. и др. ФТП. 1988. Т. 22. Вып. 5. С. 844--848
Берман Л.С., Витовский Н.А., Воронков В.Б. и др. ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 4. С. 753--756
Берман Л.С., Витовский Н.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н. ФТП. 1990. Т. 24. Вып. 10. С. 1816--1822
Lax M., Neustadter S.F. J. Appl. Phys. 1954. Vol. 25. N 6. P. 1148--1155
Евсеев Ю.А. Полупроводниковые приборы для мощных преобразовательных устройств. М.: Энергия, 1978. 192 с
Mnatsakanov T.T., Rostovtsev I.L., Philatov N.I. Sol. St. Electr. 1987. Vol. 30. N 6. P. 579--585
Мнацаканов Т.Т., Ростовцев И.Л., Филатов Н.И. ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 7. С. 1293--1996
Мнацаканов Т.Т., Ростовцев И.Л., Филатов Н.И. Электронное моделирование. 1986. Т. 8. N 1. С. 40--43

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель