"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование и исследование планарных световодов в LiTaO 3 методом неизовалентного ионного обмена в расплавах солей
Ганьшин В.А.1, Коркишко Ю.Н.1, Морозова Т.В.1, Федоров В.А.1
1Московский институт электронной техники
Поступила в редакцию: 7 мая 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Предлагается новый метод формирования планарных световодов в кристаллах танталата лития --- неизовалентный ионный обмен в расплавах солей. Обнаружено, что световоды могут быть сформированы путем ионообменных реакций Zn2+-> 2Li+, Ni2+-> 2Li+, Mn2+-> 2Li+, Fe2+-> 2Li+, Co2+-> 2Li+, Ca2+-> 2Li+, Mg2+-> 2Li+, протекающих в расплавах K2SO4-Na2SO4-Li2SO4-MeSO4 (Me: Zn, Ni, Mn, Fe, Co, Ca, Mg) при температурах ниже температуры Кюри танталата лития (600oC). Разработаны методики расчета деформаций и напряжений в световодных слоях, а также определения концентрации легирующих ионов. Анализируются возможные механизмы приращения показателя преломления.
  1. Tangonan G.L., Barnoski M.K., Lotspeich J.F., Lee A. Appl. Phys. Lett. 1977. Vol. 30. N 5. P. 238--239
  2. Hammer J.M., Phillips W. Appl. Phys. Lett. 1974. Vol. 24. N 11. P. 545--547
  3. Атучин В.В., Зилинг К.К., Шипилова Д.П. Квантовая электрон. 1984. Т. 11. N 5. С. 994--999
  4. Атучин В.В., Зилинг К.К., Клипко А.Т. Автометрия. 1988. Т. 5. N 5. С. 52--55
  5. Eknoyan O., Yoon D.W., Taylor H.F. Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51. N 6. P. 384--386
  6. Yoon D.W., Eknoyan O. J. Lightwave Technol. 1988. Vol. 6. N 6. P. 877--880
  7. Noda J., Saku T., Uchida N. Appl. Phys. Lett. 1974. Vol. 25. N 5. P. 308--310
  8. Bobrov Yu.A., Ganshin V.A., Ivanov V.Sh. et al. Phys. Stat. Sol. (a). 1991. Vol. 123. N 1. P. 317--324
  9. Копылов Ю.Л., Кравченко В.Б., Миргородская Е.Н., Бобылев А.В. Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. Вып. 10. С. 801--804
  10. Ganshin V.A., Korkishko Yu.N., Morozova T.V. Phys. St. Sol. (a). 1988. Vol. 110. N 2. P. 397--402
  11. Findakly T., Suchoski P., Leonberger F. Opt. Lett. 1988. Vol. 13. N 9. P. 797--799
  12. Jackel J.L. Appl. Opt. 1980. Vol. 19. N 12. P. 1996--1999
  13. Ангелов А.К., Золотов Е.М., Прохоров А.М., Черных В.А. Письма в ЖТФ. 1982. Т. 8. Вып. 22. С. 1345--1349
  14. Jackel J.L., Rice C.E. Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 41. N 6. P. 508--510
  15. Ганьшин В.А., Иванов В.Ш., Коркишко Ю.Н., Петрова В.З. ЖТФ. 1986. Т. 56. Вып. 7. С. 1354--1362
  16. Ганьшин В.А., Коркишко Ю.Н. ЖТФ. 1990. Т. 60. Вып. 9. С. 153--156
  17. White J.M., Heidrich P.F. Appl. Opt. 1978. Vol. 15. N 1. P. 151--155
  18. Ivanov V.Sh., Ganshin V.A., Korkishko Yu.N. Vacuum. 1992. Vol. 43. P. 552--558
  19. Torii Y., Sekia T., Yamamoto T. Mat. Res. Bull. 1983. Vol. 18. N 12. P. 1569--1574
  20. Bartels W.J., Nijman W. J. Cryst. Growth. 1978. Vol. 44. N 5. P. 518--525
  21. Fedorov V.A., Ganshin V.A., Korkishko Yu.N. Phys. St. Sol. (b). 1992. Vol. 173. N 2. P. 390--395
  22. Форсайт Дж., Малькольм М., Моулер К. Машинные методы математических вычислений. М.: Мир, 1980. 279 с
  23. Smith R.T., Welsh F.S. J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. N 6. P. 2219--2233
  24. O'Brien R.J., Rosasoo G.J., Weber A. J. Opt. Soc. Am. 1970. Vol. 60. N 5. P. 716--722
  25. Megaw H.D. Acta Cryst. 1952. Vol. 7. N 1. P. 187--199
  26. Sugii K., Fukuma M., Iwasaki H. J. Mat. Sci. 1978. Vol. 13. N 2. P. 523--533
  27. Atuchin V.V., Ziling C.C., Shipilova D.P., Beizel N.F. Ferroelectrics. 1989. Vol. 100. N 1. P. 261--266
  28. Бацанов С.С. Структурная рефрактометрия. М.: Высшая школа, 1976. 352 с
  29. Yamada T., Iwasaki H., Niizeki N. Jap. J. Appl. Phys. 1969. Vol. 8. P. 1127--1132
  30. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. 399 с
  31. Ganshin V.A., Korkishko Yu.N. J. Opt. Commun. 1991. Vol. 11. N 4. P. 410--415
  32. Fedorov V.A., Ganshin V.A., Korkishko Yu.N. Opt. Commun. 1992. Vol. 87. N 3. P. 295--301

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.