Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Чувствительные элементы преобразователей давления на основе слоистых интеркалированных кристаллов InSe, GaSe и Bi₂Te₃

Кудринский З.Р.¹, Ковалюк З.Д.¹

¹Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Email: kudrynskyi@gmail.com

Поступила в редакцию: 13 февраля 2013 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показана принципиальная возможность использования слоистых полупроводниковых кристаллов InSe, GaSe и Bi₂Te₃ в качестве чувствительных элементов для преобразователей давления. Предложены два способа измерения давления на основе слоистых кристаллов: по зависимости параметра (тока) интеркаляции от давления и по зависимости электродвижущей силы интеркалата от давления.

Медведева З.С. Халькогениды элементов III-B подгруппы периодической системы. М.: Наука, 1968. 216 c
Zhirko Yu., Trachevsky V., Kovalyuk Z. On the possibility of layered crystals application for solid state hydrogen storages --- InSe and GaSe crystals, in book: Hydrogen storage. / Ed. by Jianjun Liu, InTech. 2012. P. 211--242
Ковалюк З.Д., Боледзюк В.Б., Шевчик В.В., Каминский В.М., Шевченко А.Д. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 8. С. 995--998
Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Нетяга В.В., Кудринский З.Р., Литвин О.С. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 3. С. 356--368.
Полупроводниковые тензодатчики / Под ред. М Дина. М.: Энергия, 1965
Козьмик И.Д., Григорчак И.И., Ковалюк З.Д., Бахматюк Б.П., Гаврилюк С.В., Товарницкий М.В. // ЖФХ. 1990. Т. 64. Вып. 3. С. 840--843
Боледзюк В.Б., Ковалюк З.Д., Пирля М.М. // Неорг. матер. 2009. Т. 45. Вып. 11. С. 1303--1307
Товстюк К.Д. Полупроводниковое материаловедение. Киев: Наукова думка, 1984. 252 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель