Вышедшие номера
Исследование структуры и свойств гетероструктурных нанопленок, созданных методами эпитаксии и ионной имплантации
Умирзаков Б.Е.1, Ташмухамедова Д.А.1, Рузибаева М.К.1, Ташатов А.К.1, Донаев С.Б.1, Мавлянов Б.Б.1
1Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: mavluda_r@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Построена зонно-энергетическая диаграмма многослойных нанопленочных систем, созданных на основе Si, GaAs, CaF2. Определены оптимальные режимы получения однородных пленок сложного состава.
  1. Chang L.L., Ploog K. Molecular beam epitaxy and heterostructures. Martinus Nijhoff Publishers, 1985. 582 с
  2. Miller R.C., Tsang W.T. // Appl. Phys. Lett. 1981. Vol. 39. P. 334
  3. Bechstedt F., Enderlein R. Semiconductor surfaces and interfaces. Akademie-Verlag Berlin, 1988. 486 с
  4. Milnes A.G., Feucht D.L. Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions. NY: Academic Press, 1972. 463 p
  5. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Курбанов Х.Х. // Поверхность. 2011. N 7. C. 91--95
  6. Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A. // Surface Investigation. 2001. Vol. 16. P. 731--736
  7. Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Boltaev E.U., Dzhurakhalov A.A. // Mater. Sci. Engineer. B. 2003. Vol. 101. P. 124--127
  8. Умирзаков Б.Е., Ташатов А.К., Ташмухамедова Д.А., Нормурадов М.Т. // Поверхность. 2004. N 12. C. 90--94

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.