Исследована кинетика протекания фототока при "собственном" освещении с hnu≥1.12 eV в гетеропереходах Mn₄Si₇-Si< Mn>-Mn₄Si₇ и Mn₄Si₇-Si<Mn>-M при высоких приложенных напряжениях. Установлено, что протекаемый фототок, рассеиваемая мощность и температура на обратносмещенном контакте гетероперехода при постоянно приложенном напряжении, низких температурах и освещении гетеропереходов с hnu≥1.12 eV являются функцией времени. На основе анализа температурных зависимостей величины и формы нарастания фототока во времени показано, что импульсы фототока состоят из двух участков: первый соответствует медленно нарастающему малому значению тока с крутизной ~(2-4)·10^-4 A/s, а второй участок характеризуется резким нарастанием тока с крутизной ~0.1-1 A/s. По значениям крутизны оценены скорости нагрева beta₁ = 42 deg/s и beta₂ = 3·10³ deg/s и величины градиентов температур на переходном слое, соответствующем границе раздела между Мn₄Si₇ и Si<Mn> Delta T/Delta x =6.3·10⁶ K/сm для beta₁ и Delta T/Delta x≥1.5·10⁸ K/cm для beta₂. Показано, что джоулевым самонагревом можно достигать больших скоростей нагрева в обратносмещенном контакте гетеропереходов, что обеспечивает быстрое нагревание, подобное прямоугольной ступени возбуждения, которое эквивалентно включению длинноволнового (примесного) освещения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.