Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2013, выпуск 8 » Статья стр. 59
<<<>>>
Влияние состояния обогащенной стронцием межкристаллитной кластерной сетки на электропроводность керамики In2O3-SrO
Самойленко З.А., Окунев В.Д., Lewandowski S.J., Aleshkevych P., Николаенко Ю.М., Пушенко Е.И., Abal'oshev O., Gierlowski P., Bondarchuk A.N., Glot A.B.1
1Universidad Tecnologica de la Mixteca, Huajuapan de Leon, Oaxaca, Mexico
Email: okunev@mail.fti.ac.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 16 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
PDF версия
В поликристаллических образцах In2O3-SrO выявлена метастабильная гексагональная R-фаза в виде сетки из кластеров мезоскопического масштаба (60-180 Angstrem), образовавшихся на основе обогащенных стронцием приграничных областей основной кубической структуры оксида индия. Показано, что отжиг в кислороде (Ta≥300oC) приводит к насыщению оборванных связей кластеров R-фазы с матрицей и формированию метастабильного состояния системы, проявляющего себя присутствием единичных диффузных максимумов R-фазы наряду с дебаевскими линиями основной фазы на рентгеновской дифракционной картине, а также наличием линии ЭПР-спектра с g=1.875 и переходом образца в высокоомное состояние, rho~106 Omega·cm. Релаксация (при T≤300oC) после отжига при Ta>300oC сопровождается разрывом связей обогащенных стронцием кластеров R-фазы с матрицей на основе оксида индия, а следовательно, пространственным обособлением кластеров с нарушением их когерентной связи с матричной структурой и уходом избыточного кислорода из образца по межкристаллитным границам с формированием нового стабильного состояния системы, характеризуемого серией диффузных максимумов R-фазы наряду с линиями основной фазы, появлением линии ЭПР с g=2 при сохранении линии с g=1.875 и переходом образца в низкоомное состояние, rho~102 Omega·cm.
  1. Belyaev A.P., Rubets V.P., Kalinkin I.P. // Thin Sol. Films. 1995. Vol. 256. N 1--2. P. 23--30
  2. Dawar A.L., Joshi J.C. // J. Matter. Sci. 1984. Vol. 19. P. 1--23
  3. Глот А.Б., Бондарчук А.Н. // Неорганические материалы. 1999. Т. 35. N 5. С. 637--640
  4. Glot A., Behr G., Werner J. // Key Eng. Mater. 2002. Vol. 206--213. P. 1441--1444
  5. Bondarchuk A., Glot A., Behr G., Werner J. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2007. Vol. 39. N 3. P. 211--217
  6. Glot A.B., Mazurik S.V., Jones B.J., Bondarchuk A.N., Bulpett R., Verma N. // J. Eur. Ceram. Soc. 2010. Vol. 30. P. 539--544
  7. Николаенко Ю.М., Кузовлев Ю.Е., Медведев Ю.В., Мезин Н.И., Бондарчук А.Н., Глот А.Б. // ФТТ. 2011. Т. 53. N 11. С. 2111--2117
  8. Korobov V., Scapira Y., Ber B., Faleev K., Zushinsky D. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 4. P. 2264--2269
  9. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 663 с
  10. Старостин Н.В., Феофилов П.П. // УФН. 1969. Т. 97. Вып. 4. С. 621--655
  11. Chu D., Zeng Y., Jiang D., Ren Z., Ren W., Wang J., Zhang T. // J. Mat. Res. 2008. Vol. 23. N 10. P. 2597--2601
  12. Singhal A., Achary S.N., Manjanna J., Jayakumar O.D., Kadam R.M., Tyagi A.K. // J. Phys. Chem. C. 2009. Vol. 113. N 9. P. 3600--3606
  13. Meng X., Tang L., Li J. // J. Phys. Chem. C. 2010. Vol. 114. N 41. P. 17 569--17 573
  14. Zhu Y., Chen Y. // J. Sol. Stat. Chem. 2012. Vol. 186. P. 182--188
  15. Abraham A., Bleaney B. Electron Paramagnetic Resonance of Transition Ions. Oxford: Clarendon Press, 1970
  16. Баранов П.Г., Романов Н.Г., Храмцов В.А., Бадалян А.Г., Бабунц Р.А. // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 12. С. 2166--2170
  17. Браташевский Ю.А., Окунев В.Д., Пафомов Н.Н., Самойленко З.А. // ФТТ. 1985. Т. 27. Вып. 3. С. 723--729
  18. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с
  19. Окунев В.Д., Пафомов Н.Н. // ЖЭТФ. 1999. Т. 116. Вып. 1(7). С. 276--298
  20. Окунев В.Д., Самойленко З.А., Szymczak R., Lewandowski S.J. // ЖЭТФ. 2005. Т. 128. N 1. С. 150--167
  21. Okunev V.D., Szymczak R., Baran M., Szymczak H., Gierlowski P. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. N 1. P. 014 404
  22. Мейлихов Е.З. // ЖЭТФ. 1999. Т. 115. Вып. 4. С. 1484--1496
  23. Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Pafomov N.N., D'yachenko T.A., Plehov A.L., Szymczak R., Baran M., Szymczak H., Lewandowski S.J. // Phys. Lett. A. 2005. Vol. 346. P. 232--242
  24. Кугель К.И., Рахманов А.Л., Сбойчаков А.О., Каган М.Ю., Бродский И.Б., Клапцов А.В. // ЖЭТФ. 2004. Т. 125. Вып. 3. С. 648--658
  25. Emin D., Holstein T. // Ann. Phys. (N Y) 1969. Vol. 53. P. 439
  26. Ziese M., Srinitiwarawong C. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. P. 11 519
  27. Jakov G., Westerburg W., Martin F., Adrian H. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. P. 14 966
  28. Нейфельд Э.А., Архипов В.Е., Тумалевич Н.А., Муковский Я.М. // Письма в ЖЭТФ. 2001. Т. 74. Вып. 11. C. 630--632
  29. Worledge D.C., Mieville L., Geballe T.H. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57. N 24. P. 15 267--15 271
  30. Schroter Von W., Lauten-Schloger K.-H., Bibrack H., Schnabel A. // Chemie. Leipzig: Veb Fachbuchverlag. 1989. // Химия. Справочник. Пер. на рус. М.: Химия, 1989. С. 115

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme