Влияние состояния обогащенной стронцием межкристаллитной кластерной сетки на электропроводность керамики In2O3-SrO
Самойленко З.А., Окунев В.Д., Lewandowski S.J., Aleshkevych P., Николаенко Ю.М., Пушенко Е.И., Abal'oshev O., Gierlowski P., Bondarchuk A.N., Glot A.B.1
1Universidad Tecnologica de la Mixteca, Huajuapan de Leon, Oaxaca, Mexico
Email: okunev@mail.fti.ac.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 16 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
В поликристаллических образцах In2O3-SrO выявлена метастабильная гексагональная R-фаза в виде сетки из кластеров мезоскопического масштаба (60-180 Angstrem), образовавшихся на основе обогащенных стронцием приграничных областей основной кубической структуры оксида индия. Показано, что отжиг в кислороде (Ta≥300oC) приводит к насыщению оборванных связей кластеров R-фазы с матрицей и формированию метастабильного состояния системы, проявляющего себя присутствием единичных диффузных максимумов R-фазы наряду с дебаевскими линиями основной фазы на рентгеновской дифракционной картине, а также наличием линии ЭПР-спектра с g=1.875 и переходом образца в высокоомное состояние, rho~106 Omega·cm. Релаксация (при T≤300oC) после отжига при Ta>300oC сопровождается разрывом связей обогащенных стронцием кластеров R-фазы с матрицей на основе оксида индия, а следовательно, пространственным обособлением кластеров с нарушением их когерентной связи с матричной структурой и уходом избыточного кислорода из образца по межкристаллитным границам с формированием нового стабильного состояния системы, характеризуемого серией диффузных максимумов R-фазы наряду с линиями основной фазы, появлением линии ЭПР с g=2 при сохранении линии с g=1.875 и переходом образца в низкоомное состояние, rho~102 Omega·cm.
- Belyaev A.P., Rubets V.P., Kalinkin I.P. // Thin Sol. Films. 1995. Vol. 256. N 1--2. P. 23--30
- Dawar A.L., Joshi J.C. // J. Matter. Sci. 1984. Vol. 19. P. 1--23
- Глот А.Б., Бондарчук А.Н. // Неорганические материалы. 1999. Т. 35. N 5. С. 637--640
- Glot A., Behr G., Werner J. // Key Eng. Mater. 2002. Vol. 206--213. P. 1441--1444
- Bondarchuk A., Glot A., Behr G., Werner J. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2007. Vol. 39. N 3. P. 211--217
- Glot A.B., Mazurik S.V., Jones B.J., Bondarchuk A.N., Bulpett R., Verma N. // J. Eur. Ceram. Soc. 2010. Vol. 30. P. 539--544
- Николаенко Ю.М., Кузовлев Ю.Е., Медведев Ю.В., Мезин Н.И., Бондарчук А.Н., Глот А.Б. // ФТТ. 2011. Т. 53. N 11. С. 2111--2117
- Korobov V., Scapira Y., Ber B., Faleev K., Zushinsky D. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 4. P. 2264--2269
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 663 с
- Старостин Н.В., Феофилов П.П. // УФН. 1969. Т. 97. Вып. 4. С. 621--655
- Chu D., Zeng Y., Jiang D., Ren Z., Ren W., Wang J., Zhang T. // J. Mat. Res. 2008. Vol. 23. N 10. P. 2597--2601
- Singhal A., Achary S.N., Manjanna J., Jayakumar O.D., Kadam R.M., Tyagi A.K. // J. Phys. Chem. C. 2009. Vol. 113. N 9. P. 3600--3606
- Meng X., Tang L., Li J. // J. Phys. Chem. C. 2010. Vol. 114. N 41. P. 17 569--17 573
- Zhu Y., Chen Y. // J. Sol. Stat. Chem. 2012. Vol. 186. P. 182--188
- Abraham A., Bleaney B. Electron Paramagnetic Resonance of Transition Ions. Oxford: Clarendon Press, 1970
- Баранов П.Г., Романов Н.Г., Храмцов В.А., Бадалян А.Г., Бабунц Р.А. // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 12. С. 2166--2170
- Браташевский Ю.А., Окунев В.Д., Пафомов Н.Н., Самойленко З.А. // ФТТ. 1985. Т. 27. Вып. 3. С. 723--729
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с
- Окунев В.Д., Пафомов Н.Н. // ЖЭТФ. 1999. Т. 116. Вып. 1(7). С. 276--298
- Окунев В.Д., Самойленко З.А., Szymczak R., Lewandowski S.J. // ЖЭТФ. 2005. Т. 128. N 1. С. 150--167
- Okunev V.D., Szymczak R., Baran M., Szymczak H., Gierlowski P. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. N 1. P. 014 404
- Мейлихов Е.З. // ЖЭТФ. 1999. Т. 115. Вып. 4. С. 1484--1496
- Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Pafomov N.N., D'yachenko T.A., Plehov A.L., Szymczak R., Baran M., Szymczak H., Lewandowski S.J. // Phys. Lett. A. 2005. Vol. 346. P. 232--242
- Кугель К.И., Рахманов А.Л., Сбойчаков А.О., Каган М.Ю., Бродский И.Б., Клапцов А.В. // ЖЭТФ. 2004. Т. 125. Вып. 3. С. 648--658
- Emin D., Holstein T. // Ann. Phys. (N Y) 1969. Vol. 53. P. 439
- Ziese M., Srinitiwarawong C. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. P. 11 519
- Jakov G., Westerburg W., Martin F., Adrian H. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. P. 14 966
- Нейфельд Э.А., Архипов В.Е., Тумалевич Н.А., Муковский Я.М. // Письма в ЖЭТФ. 2001. Т. 74. Вып. 11. C. 630--632
- Worledge D.C., Mieville L., Geballe T.H. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57. N 24. P. 15 267--15 271
- Schroter Von W., Lauten-Schloger K.-H., Bibrack H., Schnabel A. // Chemie. Leipzig: Veb Fachbuchverlag. 1989. // Химия. Справочник. Пер. на рус. М.: Химия, 1989. С. 115
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
