Вышедшие номера
Распыление поверхности мишени ионами Cs+: стационарная концентрация имплантированного цезия и эмиссия кластеров CsM+
Кудрявцев Ю., Asomoza R., Mansurova M., Perez L.A., Король В.М.1
1Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: yuriyk@cinvestav.mx
Поступила в редакцию: 28 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Проведено экспериментальное исследование изменения работы выхода поверхности полупроводников Si и GaAs при облучении ионами цезия. Рассмотрен механизм образования кластерных ионов CsM+ (где M - анализируемый элемент). Рассчитаны потенциалы ионизации некоторых молекул CsM и предложена простая экспериментальная методика по определению поверхностной концентрации цезия, имплантированного в приповерхностную область различных материалов в процессе их распыления ионами цезия. Методика основана на использовании предварительно имплантированного в анализируемый образец калия как "внутреннего стандарта".
  1. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М. Высшая школа, 1984. С. 119
  2. Beninghoven A., Rudenauer R.G., Werner H.W. Secondary Ion Mass Spectrometry. Basic Concepts, Instrumental Aspects, Application and Trends. John Wiley \& Sons. 1987. P. 310
  3. Reuter W., Wittmaack K. // Appl. Surf. Sci. 1980. Vol. 5. P. 221
  4. Yu M.L. Sputtering by Particle Bombardment III / R. Behrisch (Ed.). Berlin: Springer Verlag, 1991. P. 91
  5. Villegas A., Kudriavtsev Yu., Godines A., Asomoza R. // Appl. Surf. Sci. Vol. 203--204. P. 94--97
  6. Kudriavtsev Yu., Asomoza R. // Nucl. Instrum. Method. B. 2008. Vol. 266. P. 3540--3544
  7. Wittmaack K., Blank P., Wach W. // Rad. Effects. 1978. Vol. 39. P. 81
  8. Menzel N., Wittmaack K. // Nucl. Instr. Meth. B. 1981. Vol. 191. P. 235
  9. Chelgran J.E., Katz W., Deline V.R., Evans C.A., Blattner R.J., Williams P. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. Vol. 16. P. 324
  10. Van der Heide P.A.W. // Surf. Sci. 2000. Vol. 447. P. 62--72
  11. Mikami A., Okazawa T., Kido Y. // Jap. J. Appl. Phys. 2008. Vol. 47. N 4. P. 2234--2237
  12. Tomizuka H., Ayame A. // Appl. Surf. Sci. 1995. Vol. 89. P. 281--288
  13. Brison J., Houssiau L. // Nucl. Instr. Meth. B. 2007. Vol. 259. P. 984
  14. Brison J., Vitchev R.G., Houssiau L. // Nucl. Instr. Meth. B. 2008. Vol. 266. P. 5159
  15. Brison J., Guillot J., Douhard B., Vitchev R.G., Houssiau L. // Nucl. Instr. Meth. B. 2009. Vol. 267. P. 519--524
  16. Chen P., Janssens T., Vandervorst W. // Appl. Surf. Sci. 2006. Vol. 252. P. 7239
  17. Yoshikawa S., Morita H., Toujou F., Matsunaga T., Tsulamoto K. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 203--204. P. 252--255
  18. Gnaser H. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 16 456
  19. Gnaser H. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 17 141
  20. Gao Y. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 64. P. 3760
  21. Gnaser H., Oechsner H. // Surf. Sci. Lett. 1994. Vol. 302. P. L289--L292
  22. Magee C.W., Harrington W.L., Botnick E.M. // Int. J. Mass Spectrometry and Ion Processs. 1990. Vol. 103. P. 45
  23. Prudon G., Gautier B., Dupuy J.C., Dubois C., Bonnear M., Delmas J., Vallard J.P., Bremond G., Brenier R. // Thin. Sol. Silm. 1997. Vol. 294. P. 54--58
  24. Smith H.E., Tsao B.-H., Scofield J. // Mat. Sci. Forum. 2006. Vol. 527--529. P. 629--632
  25. Wittmaack K. Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS X / Ed. by A. Benninghoven, B. Hagenhoff, H.W. Werner. Chichester: Wiley, 1997. P. 39
  26. Gavelle M., Schied E., Cristiano F., Armand C., Hartmann J.-M., Campidelli Y., Halimaoui A., Fazzini P.-F., Marcelot O. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 102. P. 074 904
  27. Koudriavtseva O., Morales-Acevedo A., Kudriavtsev Yu., Gallardo S., Asomoza R., Mendoza-Perez R., Sadtre-Hermandez J., Contreras-Puente G. // Appl. Surf. Sci. 2008. Vol. 255. P. 1423--1426
  28. Gerhard W.Z. // Physik B. 1975. Vol. 22. P. 31--39
  29. Kudriavtsev Yu., Villegax A., Godines A., Asomoza R. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 206. P. 187--195
  30. Yamamura Y. Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS IX Proceedings of the 9th Int. Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry / Ed. by A. Benninghoven et al. 1994. P. 3
  31. Meyer S., Staudt C., Wucher A. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 203--204. P. 48--51
  32. Векслер В.И. Вторично-ионная эмиссия из металлов. М.: Наука, 1978. С. 240
  33. http://www/ioffe.ru/index.php?row=14\&subrow=0\# официальный сайт Санкт-Петербургского Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе
  34. Soler J.M. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. Vol. 14. P. 2745
  35. Perdew J.P. et al. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. P. 3865
  36. Troullier N., Martins J.L. // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 43. P. 1991
  37. Kleinman L., Bylander D.M. // Phys. Rev. Lett. 1982. Vol. 48. P. 1425
  38. Dmitrieva I.K., Plindov G.I. // Phys. Scripta. 1983. Vol. 27. P. 402--406
  39. Fricke B. // J. Chem. Phys. 1986. Vol. 84. N 2. P. 862--866
  40. Reed T.M. // J. Phys. Chem. 1995. Vol. 59. N 5. P. 428--432
  41. Chandrakumar K.R.S., Ghanty T.K., Ghosh S.K. // J. Phys. Chem. A. 2004. Vol. 108. P. 6661--6666
  42. Handbook iof Chemistry and Physics, 61st eledion / Editor R.C. Weas, Associate Editor M.J. Astle. CRC Press Inc., Boca Raton, Florida, P. 1980--1981
  43. Kudriavtsev Yu. // Nucl. Instr. Meth. B. 2000. Vol. 160. P. 307--310
  44. Sigmund P. Sputtering bu ion bombardment --- theoretical concepts. Sputtering by particle bombardment I / Ed. by R. Behrisch. Berlin: Springer-Verlag, 1981. P. 18
  45. Kudriavtsev Y., Villegas A., Godines A., Asomoza R. // Appl. Surf. Sci. 2005. Vol. 239. P. 273--278
  46. Kovarsky A.P., Kretser Yu.L., Kudriavtsev Yu.A., Stroganov D.N., Yagovkina M.A., Beierlein T., Strike S. // MRS IRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1998. Vol. 3. P. 10.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.