Вышедшие номера
Влияние давления на атомную и электронную структуру энстатита MgSiO3 : Ab initio расчет
Чибисов А.Н.1
1Вычислительный центр Дальневосточного отделения РАН, Хабаровск, Россия
Email: andreichibisov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Проведено компьютерное моделирование влияния давления на атомную и электронную структуру MgSiO3. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными. Показано, что при увеличении давления от 0 до 2 GPa ширина запрещенной зоны увеличивается от 4.67 до 4.74 eV. Увеличение ширины запрещенной зоны происходит за счет перераспределения электронного заряда на атомах и в структуре энстатита.