Вышедшие номера
Исследование особенностей формирования внеэлектродной плазмы высоковольтным газовым разрядом
Колпаков В.А., Колпаков А.И., Подлипнов В.В.1,2
1Самарский государственный аэрокосмический университет (национальный исследовательский университет), Самара, Россия
2Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия
Email: akolpakov@yandex.ru; kolpakov@ssau.ru
Поступила в редакцию: 21 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

Исследованы особенности формирования внеэлектродной плазмы высоковольтным газовым разрядом. Теоретически и экспериментально подтверждено возникновение и самоподдержание высоковольтного газового разряда и формируемых им потоков плазмы на прямолинейных участках силовых линий электрического поля. Показано, что фокусировка газового разряда и формируемых им плазменных потоков обеспечивается увеличением длины прямолинейного участка силовой линии в направлении оси симметрии отверстия в аноде. Установлено, что с повышением мощности разряда (ускоряющего напряжения, подаваемого на электроды газоразрядного прибора) происходит увеличение длины прямолинейных участков силовых линий поля и их сосредоточение в области оси симметрии отверстия в аноде. Даны практические рекомендации по применению внеэлектродной плазмы для микро- и наноразмерного структурирования поверхности материалов.
  1. Вагнер И.В., Болгов Э.И., Гракун В.Ф., Гохвельд В.Л., Кудлай В.А. // ЖТФ. 1974. Т. 44. Вып. 8. С. 1669--1674
  2. Handle S.K., Nordhage F.R. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. N 9. Р. 6473--6475
  3. Донко З., Рожа К., Шалаи Л. // Физика плазмы. 1998. Т. 24. N 7. С. 637--648
  4. Комов А.Н., Колпаков А.И., Бондарева Н.И., Захаренко В.В. // ПТЭ. 1984. N 5. С. 218--220
  5. Колпаков А.И., Расстегаев В.П. // Деп. в ВИНИТИ 18.04.79. N 1381-79 Деп
  6. Казанский Н.Л., Колпаков В.А. Формирование оптического микрорельефа во внеэлектродной плазме высоковольтного газового разряда. М.: Радио и связь, 2009. 220 с
  7. Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A. Heat Transfer --- Engineering Applications / Ed. by V.S. Vikhrenko. InTech --- Open Access Publisher, 2011. P. 87--118
  8. Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В. // Электронная промышленность. 1996. N 2. С. 41--44
  9. Колпаков В.А., Колпаков А.И. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 15. С. 58--65
  10. Колпаков В.А. // Микроэлектроника. 2002. Т. 31. N 6. С. 431--440
  11. Казанский Н.Л., Колпаков А.И., Колпаков В.А. // Микроэлектроника. 2004. Т. 33. N 3. С. 218--233
  12. Казанский Н.Л., Колпаков А.И., Колпаков В.А., Паранин В.Д. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 12. С. 21--25
  13. Колпаков В.А. // Физика и химия обработки материалов. 2006. N 5. С. 41--48
  14. Колпаков В.А. // Физика и химия обработки материалов. 2007. N 1. С. 53--58
  15. Казанский Н.Л., Колпаков В.А. // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 9. С. 41--46.
  16. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В. // Научное приборостроение. 2012. Т. 22. N 1. С. 120--125
  17. Казанский Н.Л., Колпаков В.А. // Компьютерная оптика. 2003. N 25. С. 112--117.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.