Методами растровой электронной микроскопии и многокристальной рентгеновской дифракции исследованы особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного анодным травлением пластины n-Si(111) с p⁺-гомоэпитаксиальным слоем на одной из сторон. Найдено существенное отличие микроструктуры с обеих сторон образца. При старении в течение 4.5 месяцев наблюдался дрейф дифракционого пика por-Si от пика подложки на deltatheta=-42'' и -450'' для n-Si и p⁺-Si пористых слоев соответственно. Полоса фотолюминесценции, полученная от p⁺-слоя образца, в 2 раза уже полосы ФЛ от n-слоя при практически одинаковой интенсивности и сдвинута в сторону меньших длин волн (больших энергий) на 0.4 eV.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.