Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства пористого кремния, обработанного в тетраэтилортосиликате

Леньшин A.C.¹, Кашкаров B.M.¹, Ципенюк B.H.¹, Середин П.В.¹, Агапов Б.Л.¹, Минаков Д.А.¹, Домашевская Э.П.¹

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

Email: lenshinas@phys.vsu.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

PDF версия

Исследовано изменение состава и оптических свойств пористого кремния (por-Si), полученного электрохимическим травлением пластины монокристаллического кремния n-типа (111), под воздействием высокотемпературного отжига и обработки в тетраэтилортосиликате (ТЭОС). Показано, что и обработка в ТЭОС, и отжиг препятствуют загрязнению образцов при длительном хранении на атмосфере. При этом обработка пористого кремния в ТЭОС оставляет неизменным положение пика фотолюминесценции (ФЛ) и меньше гасит ФЛ по сравнению с результатами отжига por-Si. Это обстоятельство повышает надежность оптоэлектронных устройств на пористом кремнии.

Тимохов Д.Ф. // Uzhhorod University Scientific Herald. 2009. N 24. P. 185--191
Turishchev S.Yu., Lenshin A.S., Domashevskaya E.P. // Phys. Stat. Sol. C. Vol. 6. N 7. P. 1651--1655
Сресели О.М., Горячев Д.Н., Осипов В.Ю., Беляков Л.В., Вуль С.П., Серенков И.Т., Сахаров В.И., Вуль А.Я. // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 5. С. 604--610
Нагорнов Ю.С., Костишко Б.М., Миков // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 8. С. 135
Коваленко Д.Л., Гайшун В.Е., Ли Киёнг-Хванг // Изв. Гомельского гос. ун-та. 2011. N 6 (69). C. 92--95
Romstad F.P., Veje E. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 55. N 8. P. 20--25
Tolstoy V.P., Chernyshova Irina V., Skryshevsky Valeri A. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films. Hoboken: New Jersey, by John Wiley \& Sons, Inc., 2003. P. 739
Леньшин А.С., Кашкаров В.М., Середин П.В. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 9. С. 1229--1234
Леньшин А.С., Кашкаров В.М., Турищев С.Ю. // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 2. С. 150--152
Becerril-Espinozaa F.G., Torchynskaa T.V., Rodriguez Morales M. // Microelectronics Journ. 2003. N 34. P. 759--761
Wu X.L., Xiong S.J., Fan D.L. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. N 12. P. 59--62
Головань Л.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. // Химия и жизнь. 2008. N 4. C. 6--11

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель