Резонансное отражение света тонким слоем плотной нелинейной среды
Тимощенко Е.В.1, Юревич В.А.1, Юревич Ю.В.1
1Могилевский государственный университет продовольствия, Могилев, Белоруссия е-mail: va
Поступила в редакцию: 8 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
Аналитически определена возможность гистерезисного поведения спектральных кривых резонансного отражения в условиях диполь-дипольного взаимодействия и спектрального смещения поля. Фазовое смещение действующего поля связано с изменением энергетического состояния плотной резонансной среды, образующей тонкий граничный слой. Задача рассмотрена для параметров квантоворазмерных структур на основе используемых в оптике полупроводников.
- Хаджи П.И., Коровай А.В. // Квант. электрон. 2002. Т. 32. N 8. С. 711
- Htoon H., Shih C.K., Takagahara T. // Chaos, Solit. Fract. 2003. Vol. 16. N 3. P. 439
- Каплан А.Е., Волков С.Н. // УФН. 2009. Т. 179. Вып. 5. С. 539
- Panzarini G., Hohenester U., Molinari E. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. N 16. P. 165 322
- Khomchenko A.V. Waveguide spectroscopy of thin films. N. Y.: Academic Press, 2005. 220 c
- Гадомский О.Н., Власов Р.А. Оптическая эхо-спектроскопия поверхности. Минск: Haвукa i тэхнiкa, 1990. 246 c
- Garmire E. // IEEE Journ. Sel. Top. Quant. Electron. 2000. Vol. 6. N 6. P. 1094
- Юревич В.А. // ЖПС. 1999. Т. 66. N 5. С. 661
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук