Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2012, выпуск 11 » Статья стр. 83
<<<>>>
Особенности кинетики распада молекул дисилана на ростовой поверхности кремния в установках вакуумной газофазной эпитаксии
Орлов Л.К., Смыслова Т.Н.1
1Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
PDF версия
На основе данных технологических экспериментов для ряда кинетических моделей определена область характерных частот распада радикалов молекул дигидрида, адсорбируемых поверхностью в диапазоне температур от 450oC до 700oC. Установлена связь скорости встраивания атомов кремния в растущий кристалл с характерной частотой пиролиза молекул дисилана на поверхности кремния. Зависимость скорости распада фрагментов дисилана на поверхности кремния от температуры обнаруживает немонотонное поведение, характер которого различен в разных температурных режимах. Показано, что наблюдаемый вид зависимости скорости распада молекул на поверхности роста описывается суммой двух активационных кривых с разными энергиями активации, определяемыми особенностями взаимодействиями молекулярного пучка с поверхностью в условиях низкого и высокого уровней заполнения поверхностных связей водородом.
  1. Bramblett T.R., Karasawa T., Hasan M.A., Jo S.K., Greene J.E. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. P. 1884
  2. Ferguson B.A., Reeves C.T., Safarik D.J., Mullins C.B. // J. Phys. Chem. 2000. Vol. 113. P. 2470.
  3. Murata T., Nakazawa H., Tsukidate Y., Suemitsu M. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 746
  4. Shi J., Tok E.S., Kang H.C. // J. Chem. Phys. 2007. Vol. 127. P. 164 713
  5. Ng R.Q.M., Tok E.S., Kang H.C. // J. Chem. Phys. 2009. Vol. 130. P. 114 702; Vol. 131. P. 044 707
  6. Shinohara M., Seyama A., Kimura Y., Niwano M. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 075 319
  7. Smardon R.D., Srivastava G.P. // J. Chem. Phys. 2005. Vol. 123. P. 174 703
  8. Taylor N., Kim H., Desjardins P., Foo Y.L., Greene J.E. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. P. 2853
  9. Gates S.M., Greenlief C.M., Beach D.B. // J. Chem. Phys. 1990. Vol. 93. P. 7493
  10. Wright S., Hasselbrink E. // J. Phys. Chem. 2001. Vol. 114. P. 7228
  11. Орлов Л.К., Ивин С.В. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 566
  12. Орлов Л.К., Смысловa Т.Н. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 1320
  13. Greenlief C.M., Lier M. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. P. 601
  14. Hofer U., Li L., Heinz T.F. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45. P. 9485
  15. Sinniah K., Sherman M.G., Lewis L.B., Weinberg W.H., Yates J.T., Janda K.C. // J. Chem. Phys. 1990. Vol. 92. P. 5700
  16. Fujiwara H., Kondo M., Matsuda A. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. P. 4181
  17. Shinohara M., Seyama A., Kimura Y., Niwano M. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 075 319
  18. Vittadini A., Selloni A. // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75. P. 4756.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme