Вышедшие номера
Влияние сверхстехиометрического марганца на структуру, транспортные, магнитные и магниторезистивные свойства манганит-лантановых перовскитов (La0.7Ca0.3)1-xMn1+xO3
Пащенко В.П., Пащенко А.В., Прокопенко В.К., Ревенко Ю.Ф., Шемяков А.А., Сильчева А.Г.1
1Луганский национальный университет им. Тараса Шевченко, Луганск, Украина
Email: alpash@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР 55Mn и магниторезистивным методами исследовали керамические образцы (La0.7Ca0.3)1-xMn1+xO3. Концентрационные изменения параметра a кубической перовскитовой структуры и среднего ионного радиуса согласуются, если с ростом x повышается концентрация анионных, катионных вакансий и наноструктурных кластеров с Mn2+ в A-позициях. Температуры фазовых переходов Tms и Tc слабо зависят от x, а удельное сопротивление и энергия активации существенно уменьшаются вследствие изменения дефектности перовскитовой структуры. Анализ широких асимметричных спектров ЯМР 55Mn свидетельствуют о высокочастотном электронном сверхобмене ионов Mn3+=<ftrightarrowMn4+ и неоднородности их магнитных и валентных состояний вследствие неравномерности распределения ионов и дефектов, понижающих амплитудную резонансную частоту с ростом x. Магниторезистивный (MR) эффект вблизи фазовых переходов Tms и Tc, который существенно увеличивается с x, обусловлен влиянием магнитного поля на процесс рассеяния носителей заряда на внутрикристаллитных наноструктурных неоднородностях дефектной перовскитовой структуры. Другой MR-эффект - в низкотемпературной области, вызванный туннелированием на мезоструктурных межкристаллитных границах, слабо уменьшается с ростом x. Установлена корреляция между содержанием сверхстехиометрического марганца, дефектностью перовскитовой структуры и величиной MR-эффекта.
  1. Flexandrov A.S., Bratkovsky A.M. // Phys. Rev. Lett. 1999. Vol. 82. N 1. P. 141--144
  2. Dagotto E., Hotta T., Moreo A. // Phys. Rep. 2001. Vol. 344. P. 1--153.
  3. Salamon M.B., Jaime M. // Phys. Mod. Phys. 2001. Vol. 73. N 1. P. 583--628
  4. Nagaev E.L. // Phys. Rep. 2001. Vol. 346. N 6. P. 387--531
  5. Valencia S., Balcells L., Marti nez B., Fontcuberta J. // J. App. Phys. 2003. Vol. 93. N 10. P.8059--8062
  6. Пащенко В.П., Носанов Н.И., Шемяков А.А. Патент Украины, UA 45153. Бюл. N 9. 2005
  7. Yang F., Mechin L., Routoure J.-M., Guillet B. et al. // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 99. N 2. P. 024 903--024 909
  8. Пащенко В.П., Харцев С.И., Черенков О.П. и др. // Неорган. материалы. 1999. Т. 35. N 12. С. 1509--1515
  9. Дьяконов В.П., Пащенко В.П., Зубов Э.Е. и др. // ФТТ. 2003. Т. 45. N 5. С. 870--876
  10. Pashchenko V.P., Shemyakov A.A., Prokopenko V.K. et al. // JMMM. 2000. Vol. 220. N 1. P. 52--58
  11. Dyakonov V.P., Fita I., Zubov E. et al. // JMMM. 2002. Vol. 246. N 1--2. P. 40--53
  12. Mira J., Rivas J., Rivadulla F. et al. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 60. N 5. P. 2998--3001
  13. Mandal P., Ghosh B. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68. N 1. P. 014 422-1-8
  14. Loudon J.C., Cox S., Williams A.J. et al. // Phys. Rev. Lett. 2005. Vol. 94. N 9. P. 097 202-1-1
  15. Shannon R.D. // Acta Crystallorg. A. 1976. Vol. 32. P. 751--767
  16. Abramov V.S., Pashchenko V.P., Khartsev S.I. et al. // Funct. Mater. 1999. Vol. 6. N 1. P. 64--73
  17. Пащенко А.В., Пащенко В.П., Ревенко Ю.Ф. и др. // Металлофиз. новейш. технологии. 2010. Т. 32. N 4. С. 487--504
  18. Laiho P., Lisunov K.G., Lahderanta E. et al. // J. Phys. Chem. Sol. 2003. Vol. 64. P. 2313--2319
  19. Krivoruchko V.N., Pashchenko V.P., Medvedev Yu.V. et al. // Phys. Lett. A. 1998. Vol. 245. N 1--2. P. 163--166
  20. Пащенко А.В., Пащенко В.П., Шемяков А.А. и др. // ФТТ. 2008. Т. 50. Вып. 7. С. 1257--1263
  21. Пащенко В.П., Kakazei G., Шемяков А.А. и др. // ФНТ. 2004. Т. 30. N 4. С. 403--410
  22. Abou-Ras D., Boujelben W., Cheikh-Rouhou A. et al. // JMMM. 2001. Vol. 233. N 3. P. 147--154
  23. de Jong M.P., Bergenti I., Osikowicz W. et al. // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 73. N 5. P. 052 403-1-4
  24. Пащенко А.В., Пащенко В.П., Прокопенко В.К. и др. // ФТТ. 2012. Т. 54. Вып. 4. С. 720--729
  25. Зубов Э.Е., Дьяконов В.П., Шимчак Г. // ЖЭТФ. 2002. Т. 122. Вып. 6. С. 1212--1225
  26. Dezanneau G., Sin A., Roussel H. et al. // Sol. State Commun. 2002. Vol. 121. N 2--3. P. 133--137
  27. Mott N.F. // Adv. Phys. 2001. Vol. 50. N 7. P. 865--945
  28. Bazela W., Dyakonov V., Pashchenko V. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2003. Vol. 236. N 2. P. 458--461
  29. Довгий В.Т., Линник А.И., Пащенко В.П. и др. // ФНТ. 2003. Т. 29. N 4. С. 380--386
  30. Пащенко А.В., Пащенко В.П., Сильчева А.Г. и др. // ФТТ. 2011. Т. 53. Вып. 2. С. 289--295
  31. Savosta M.M., Novak P. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87. N 13. P. 137 204--137 208
  32. Пащенко В.П., Шемяков А.А., Пащенко А.В. // ФНТ. 2007. Т. 33. N 33. С. 870--880
  33. Носанов М.И., Пащенко В.П., Шемяков А.А. Патент UA N 57648. Бюл. N 4. 2006.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.