Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Усиление комбинационного рассеяния локализованными плазмонами в наночастицах серебра на поверхности наностержней оксида цинка
Кайдашев В.Е., Лянгузов Н.В., Юзюк Ю.И., Кайдашев Е.М.1,2
1Южный федеральный университет, НИИМиПМ, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, физический факультет, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, физический факультет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: kaidashev_mst@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.
Исследованы особенности процесса магнетронного напыления наночастиц Ag на массивы наностержней ZnO. Боковые грани наностержней покрываются наночастицами с гораздо меньшей плотностью, нежели плоские поверхности при аналогичных временах напыления. Повышенная плотность частиц Ag наблюдается на ребрах боковых граней наностержней. Максимум плазмонного поглощения в синтезированных массивах наностержней, покрытых изолированными наночастицами Ag, лежит в диапазоне 450-500 nm. Возникновение локальных плазмонных возбуждений приводит к усилению интенсивности многофононных процессов с участием полярных мод ZnO в спектрах комбинационного рассеяния. С увеличением эквивалентной толщины пленок Ag возрастает сечение резонансного комбинационного рассеяния для обертонов фонона A1(LO).
- Kneipp K., Wang Y., Kneipp H., Perelman L.T., Itzkan I. // Phys. Rev. Lett. 1997. Vol. 78. N 9. P. 1667
- David C., Guillot N., Shen H., Toury T., Lamy de la Chapelle M. // Nanotechnology. 2010. Vol. 21. P. 475 501
- Larsson E.M., Langhammer C., Zoric I., Kasemo B. // Science. 2009. Vol. 326. P. 1091
- Hugall J.T., Baumberg J.J., Mahajan S. // Appl. Phys. Lett. 2009. Vol. 95. P. 141 111
- Brouers F., Blacher S., Lagarkov A.N., Sarychev A.K., Gadenne P., Shalaev V.M. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 55. N 19. P. 13 234
- D'Andrea C., Neri F., Ossi P.M., Santo N., Trusso S. // Nanotechology. 2009. Vol. 20. P. 245 606
- Gupta R., Dyer M.J., Weimer W.A. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 92. P. 5264
- Seal K., Nelson M.A., Ying Z.C., Genov D.A., Sarychev A.K., Shalaev V.M. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67. P. 035 318
- Akimov Yu.A., Ostrikov K., Li E.P. // Plasmonics. 2009. Vol. 4. P. 107
- Schaadt D.M., Feng B., Yu E.T. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. P. 063 106
- Wang X.T., Shi W.S., She G.W., Mu L.X., Lee S.T. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 95. P. 053 104
- Qi H., Alexon D., Glembocki O., Prokes S.M. // Nanotechology. 2010. Vol. 21. P. 085 705
- Лянгузов Н.В., Кайдашев В.Е., Кайдашев Е.М., Абдулвахидов К.Г. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 5. С. 1--8
- Лянгузов Н.В., Кайдашев В.Е., Широков В.Б., Кайдашев Е.М. // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 10. С. 90--95
- Sun X.W., Kwok H.S. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86. N 1. P. 408
- Xu G., Tazawa M., Jin P., Nakao S. // Appl. Phys. A. 2005. Vol. 80. P. 1535
- Liu C.Y., Dvoynenko M.M., Lai M.Y., Chan T.H., Lee Y.R., Wang J.-K., Wang Y.L. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 96. P. 033 109
- Cusco R., Alarcon-Llado E., Ibanez J., Artus L. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. P. 165 202
- Лянгузов Н.В., Кайдашев В.Е., Захарченко И.Н., Юзюк Ю.И., Киселев А.П., Кайдашев Е.М. // ЖТФ. 2012. T. 82. Вып. 4. С. 108--116
- Kaidashev V.E., Kaidashev E.M., Peres M., Monteiro T., Correia M.R., Sobolev N.A., Alves L.C., Franco N., Alves E. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106. P. 093 501
- Kaidashev V.E., Misochko O.V., Correia M.R., Peres M., Monteiro T., Sobolev N.A., Kaidashev E.M. // Tech. Phys. Lett. 2009. Vol. 35. N 12. P. 1086
- Phan T.L., Vincent R., Cherns D., Nghia N.X., Ursaki V.V. // Nanotechnology. 2008. Vol. 19. P. 475 702
- Lu H., Xu X., Lu L., Gong M., Lin Y. // J. Phys. Cond. Mat. 2008. Vol. 20. P. 472 202
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
