Влияние электрического поля на ориентацию углеродных нанотрубок в процессе их роста и эмиссии
Бочаров Г.С., Книжник А.А., Елецкий А.В., Sommerer T.J.1
1GE Global Research, Niskayuna, NY, USA
Email: Eletskii@imp.kiae.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.
Рассмотрены проблемы, связанные с воздействием электрического поля на углеродные нанотрубки (УНТ) в процессе их роста и в условиях холодной полевой эмиссии. Установлены соотношения, определяющие скорость роста протяженной структуры при воздействии электрического поля. Соотношение между углом ориентации (УНТ), наклоненной относительно поверхности подложки, и величиной приложенного электрического поля используется для вычисления вольт-амперных характеристик катода, состоящего из наклонных УНТ. Степень отклонения этих характеристик от классической зависимости Фаулера-Нордгейма определяется, с одной стороны, параметрами, характеризующими разброс УНТ по углам наклона, а с другой стороны - величиной модуля Юнга, характеризующей изгибную жесткость нанотрубки. Показано, что в отсутствие внешнего электрического поля определенное влияние на ориентацию УНТ может оказывать потенциал УНТ относительно подложки, обусловленный эффектом контактной разности потенциалов.
- Chernozatonskii L.A. et al. // Chem. Phys. Lett. 1995. Vol. 233. P. 63
- De Heer W.A., Chatelain A. // Ugarte D Science. 1995. Vol. 270. P. 1179
- Rinzler A.G. et al. // Science. 1995. Vol. 269. P. 1550
- Елецкий А.В. // Успехи физических наук. 2002. Т. 172. С. 401
- Chen J. et al. // Ultramicroscopy. 2003. Vol. 95. P. 153
- Образцов А.Н., Клещ В.И. Катодолюминесцентная диодная лампа. Пат. РФ по заявке N 2008141395/09(053681) от 21.10.2008
- Kawakita K. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2006. Vol. 24. P. 950
- Manohara H.M. et al. // Lunar and Planetary Science XXXVIII. 2007. P. 1436
- Avigal Y., Kalish R. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. P. 2291
- Bulgakova N.M. et al. // Appl. Phys. A. 2006. Vol. 85. P. 109
- Dittmer S., Svensson J., Campbell E.E.B. // Curr. Appl. Phys. 2004. Vol. 4. P. 595
- Merkulov V.I. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 4816
- Yang Q. et al. // Diamond and Related Materials. 2003. Vol. 12. P. 1482
- Смирнов Б.М. Физика фрактальных кластеров. М.: Наука, 1991. 280 с
- Merkulov V.I. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 2970
- Chhowalla M. et al. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90. P. 5308
- Shao-Jie M.A., Guo W.-L. // Chin. Phys. Lett. 2008. Vol. 25. P. 270
- Бельский М.Д. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 2. С. 130
- Yang Q. et al. // Diamond and Related Materials. 2003. Vol. 12. P. 1482
- Бочаров Г.С., Елецкий А.В. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 7. С. 126
- Eletskii A.V., Bocharov G.S. // Plasma Sources Science and Technology. 2009. Vol. 18. P. 034 013
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
