Вышедшие номера
О некоторых особенностях полевой электронной эмиссии одиночной углеродной нити с наноструктурной эмиссионной поверхностью
Лупехин С.М.1, Ибрагимов А.А.1
1Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
Email: ibrart@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

Экспериментально исследована полевая электронная эмиссия тонкой углеродной нити с наноструктурной эмисионной поверхностью. Установлено, что нить способна эффективно работать в качестве полевого электронного эмиттера при напряжениях ~102-103 V в условиях технического вакуума, при этом плотность эмиссионного тока может достигать величины ~102 A/sm2. Обнаружено, что в процессе электронной эмиссии при некотором пороговом рабочем напряжении нить начинает совершать изгибные механические колебания. Переход в режим механических колебаний сопровождается изменением режима полевой электронной эмиссии. В отсутствие механических колебаний наблюдается режим постоянного токоотбора. С началом механических колебаний полевая эмиссия переходит в режим периодических колебаний тока с постоянной составляющей.
  1. Бондаренко Б.В., Рыбаков Ю.Л., Шешин Е.П. // РЭ. 1982. Т. 27. Вып. 8. С. 1593--1597
  2. Baturin A.S., Chadaev N.N., Leshukov M.Yu., Sheshin E.P. // Appl. Surface Science. 2003. Vol. 215. N 1. P. 260--264
  3. Елецкий А.В. УФН. 2010. Т. 180. Вып. 9. С. 897--930
  4. Chen Z. et al. // Nanotechnology. 2007. Vol. 18. P. 265 702
  5. Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. М.: ГИФМЛ, 1958. 272 с
  6. Лупехин С.М., Ибрагимов А.А. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 6. С. 109--112
  7. Шешин Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов. МФТИ. 2001. С. 287

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.