Свойства низкорефрактивных пленок, полученных по методу близкого переноса при сублимации графита в квазизамкнутом объеме
Сопинский Н.В.1, Хомченко В.С.1, Литвин О.С.1, Савин А.К.1, Семененко Н.А.1, Евтух А.А.1, Соболевский В.П.1, Ольховик Г.П.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
![Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine](/images/e16.png)
Email: sopinsky@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 28 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
Представлены результаты исследований свойств низкорефрактивных углеродных пленок, нанесенных технологией близкого переноса при сублимации графита в закрытом объеме. При помощи метода монохроматической многоугловой эллипсометрии исследованы оптические свойства пленок, а по методу атомно-силовой микроскопии - морфология их поверхности. Установлено, что пленки имеют столбчатую структуру с базовой шероховатостью поверхности ~1 nm, кроме того, на поверхности пленки присутствуют отдельные островки сечением основы ~200 nm и высотой до 50 nm. Показано, что осаждение низкорефрактивной углеродной пленки по методу близкого переноса на поверхность кремниевых острий приводит к снижению порога электронной полевой эмиссии и резкому росту величины тока.
- Lifshitz Y. // Diamond Relat. Mater. 1996. Vol. 5. N 3-5. P. 388--400
- Camino D., Jones A.H.S., Mercs D., Teer D.G. // Vacuum. 1999. Vol. 52. P. 125--131
- Литовченко В.Г. // Фiзика i хiмiя твердого тiла. 2004. Т. 5. N 1. С. 9--15
- Семикина Т.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев). 2006. Вып. 41. С. 121--129
- Попов А.И., Воронцов В.А. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 6. С. 665--670
- Хомченко В.С., Сопинский Н.В., Савин А.К., Литвин О.С., Заяц Н.С., Хачатрян В.Б., Корчевой А.А. // ЖТФ. 2008. Т. 78. Вып. 6. С. 84--89
- Siegal M.P., Overmyer D.L., Provencio P.P. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. N 5. P. 2171--2173
- Satyanarayana B.S., Robertson J., Milne W.I. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. N 6. P. 3126--3131
- Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981. 582 с
- Сопинский Н.В. // Микроэлектроника. 2001. Т. 30. Вып. 1. С. 41--46
- Sopinskyy M.V., Shepelyavyi P.E., Stronski A.V., Venger E.F. // J. Opt. Adv. Mater. 2005. Vol. 7. N 5. P. 2255--2266
- Семененко Н.А. Эмиссионные свойства кремниевых и углеродных нанокомпозитных пленок. Автореф. канд. дис. Киев, 2008. 148 с
- Головань Л.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. // Кристаллография. 2007. Т. 52. Вып. 4. С. 697--710
- Litovchenko V., Evtukh A., Kryuchenko Yu., Goncharuk N., Yilmazoglu O., Mutamba K., Hartnagel H.L., Pavlidis D. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 96. N 1. P. 866--877
- Евтух А.А., Клюй Н.И., Литовченко В.Г., Лукьянов А.Н., Мовчан Б.О., Пирятинский Ю.П. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев). 2006. Вып. 41. С. 100--107
- Эвтух А.А., Клюй М.I., Крушинська Л.А., Курапов Ю.А., Литовченко В.Г., Лук'янов А.М., Мовчан Б.О., Семененко М.О. // Укр. фiз. журн. 2008. Т. 53. N 2. С. 179--186
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.