Вышедшие номера
Установка для измерения спектров излучения широкозонных полупроводниковых материалов
Тубольцев Ю.В.1, Мездрогина М.М.1, Хилькевич Е.М.1, Чичагов Ю.В.1, Полетаев Н.К.1, Кузьмин Р.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: tuboltsev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Разработана установка для измерения спектров излучения широкозонных полупроводниковых соединений III-нитридов и гетероструктур на их основе. Созданная система позволяет измерять временные распределения интенсивности люминесценции исследуемых структур и материалов на фиксированной длине волны с разрешением ±5 ns с частотой регистрации событий до 10 MHz во временном диапазоне от единиц до сотен микросекунд, а также осуществлять построение зависимости интегральной интенсивности люминесценции от длины волны. Имеется режим прецизионных измерений.