Взаимодействие оптического излучения с управляемой концентрационной и статической диэлектрической неоднородностью в узкозонных полупроводниках
Антонов В.В., Кузнецов В.А.1
1Саратовский государственный аграрный университет им. Н.И. Вавилова,, Саратов, Россия
Email: kuznetsov.va1948@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.
Показано, что в некоторых полупроводниках возможно создание управляемой концентрационной неоднородности, которая вызывает отклонение падающего на нее лазерного луча. В антимониде индия этот эффект возникает при температурно-электрической неустойчивости в магнитном поле. В соединении на основе GaAs-GaP этот эффект происходит за счет встроенного градиента статической диэлектрической проницаемости и группировки электронного потока. Рассмотренные эффекты позволяют использовать их для создания дефлектора инфракрасного излучения.
- Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. 616 с
- Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Методы модуляции и сканирования света. М.: Наука, 1970. 296 с
- Гинзбург В.Л. Распространение электромагнитных волн в плазме. М.: Наука, 1967. 683 с
- Антонов В.В., Кац Л.И. // ФТП. 1982. Т. 16. Вып. 6. С. 1050--1053
- Шик А.Я. Физика низкоразмерных систем. СПб.: Наука, 2001. 160 с
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
- Антонов В.В., Кузнецов В.А. Пат. РФ N 85234. Дефлектор инфракрасного излучения. Опубл. 07.10.2009. Бюл. N 11
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук