Наблюдение термовольтаического эффекта в структурах на основе сульфида самария
Каминский В.В.1, Казанин М.М.1, Клишин А.Н.1, Соловьев С.М.1, Голубков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
Рассмотрен термовольтаический эффект в объемных гетероструктурах на основе сульфида самария с составами Sm1-xEuxS и Sm1-xGdxS в интервале значений температуры 300-460 K. Показано, что эффект может наблюдаться в условиях отсутствия внешнего градиента температур, т. е. при одинаковых значениях температуры образца вблизи контактов, с которых снимается генерируемое напряжение. При этом температура измерялась с помощью термопар, а также бесконтактным способом с помощью тепловизора.
- Казанин М.М., Каминский В.В., Соловьев С.М. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 5. С. 136--138
- Каминский В.В., Соловьев С.М. // ФТТ. 2001. Т. 43. Вып. 3. С. 423--426
- Каминский В.В., Дидик В.А., Казанин М.М., Романова М.В., Соловьев С.М. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. Вып. 21. С. 16--22
- Kaminski V.V., Kazanin M.M., Soloviev S.M., Shalaev B.N. // 25th Int. Conf. on Defects in Semiconductors. S.-Petersburg, 2009. P. 323
- Каминский В.В., Васильев Л.Н., Романова М.В., Соловьев С.М. // ФТТ. 2001. Т. 43. Вып. 6. С. 997--999
- Васильев Л.Н., Каминский В.В. // ФТТ. 1994. Т. 36. Вып. 4. С. 1172--1175
- Смирнов И.А., Оскотский В.С. // УФН. 1978. Т. 124. Вып. 2. С. 241--279
- Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. М.: Сов. радио, 1967. 452 с
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.