Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Наблюдение термовольтаического эффекта в структурах на основе сульфида самария

Каминский В.В.¹, Казанин М.М.¹, Клишин А.Н.¹, Соловьев С.М.¹, Голубков А.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 18 ноября 2010 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрен термовольтаический эффект в объемных гетероструктурах на основе сульфида самария с составами Sm_1-xEu_xS и Sm_1-xGd_xS в интервале значений температуры 300-460 K. Показано, что эффект может наблюдаться в условиях отсутствия внешнего градиента температур, т. е. при одинаковых значениях температуры образца вблизи контактов, с которых снимается генерируемое напряжение. При этом температура измерялась с помощью термопар, а также бесконтактным способом с помощью тепловизора.

Казанин М.М., Каминский В.В., Соловьев С.М. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 5. С. 136--138
Каминский В.В., Соловьев С.М. // ФТТ. 2001. Т. 43. Вып. 3. С. 423--426
Каминский В.В., Дидик В.А., Казанин М.М., Романова М.В., Соловьев С.М. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. Вып. 21. С. 16--22
Kaminski V.V., Kazanin M.M., Soloviev S.M., Shalaev B.N. // 25th Int. Conf. on Defects in Semiconductors. S.-Petersburg, 2009. P. 323
Каминский В.В., Васильев Л.Н., Романова М.В., Соловьев С.М. // ФТТ. 2001. Т. 43. Вып. 6. С. 997--999
Васильев Л.Н., Каминский В.В. // ФТТ. 1994. Т. 36. Вып. 4. С. 1172--1175
Смирнов И.А., Оскотский В.С. // УФН. 1978. Т. 124. Вып. 2. С. 241--279
Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. М.: Сов. радио, 1967. 452 с
Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель