Феррит-сегнетоэлектрические фазовращатели с совместным электрическим и магнитным управлением
Устинов А.Б., Колков П.И., Никитин А.А., Калиникос Б.А., Фетисов Ю.К., Srinivasan G.1
1Oakland University, Rochester, Michigan, USA
Поступила в редакцию: 16 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
Экспериментально исследованы планарные фазовращатели, изготовленные на основе слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик. Структуры служили волноводами для электромагнитно-спиновых волн, фазовый набег которых регулировался как электрическим, так и магнитным полями. Измерения проведены в диапазоне магнитных полей 900-2100 Oe, что соответствует рабочим частотам 4-8.5 GHz, для ферритовых пленок железо-иттриевого граната толщиной 5-20 mum и для сегнетоэлектрических пластин титаната бария стронция толщиной 200 и 500 mum. Показано, что фазовый набег достигает значений более 180 deg и является функцией магнитного и электрического полей, а также толщины ферритового и сегнетоэлектрического слоев.
- Koul S. and Bhat B. Microwave and Millimeter Wave Phase Shifters. Norwell, MA: Artech House, 1991
- Buslov O.Yu., Keis V.N., Kotelnikov I.V., Kozyrev A.B., Tumarkin A.V. // IEEE MTT-S. Int. Microwave Symp. Dig. 2006. P. 1269--1272.
- Kuylenstierna D., Vorobiev A., Linner P., Gevorgian S. // IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 2006. Vol. 16. N 4. P. 167--169.
- Ji T., Abrham J.K., Varadan V.K. // IEEE Trans. MTT. 2006. Vol. 54. N 3. P. 1131--1138.
- Rebeiz G.M. RF MEMS theory, design, and technology. Hoboken, NJ: Wiley-Interscience, 2003
- Adam J.D., Davis L.E., Dionne g.F., Schloemann E.F., and Stitzer S.N. // IEEE Trans. MTT. 2002. Vol. 50. N 3. P. 721--737.
- Ishak W.S. // Proc. IEEE. 1988. Vol. 76. N 2. P. 171--187.
- Nan C.-W., Bichurin M.I., Dong S., Viehland D., Srinivasan G. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. N 3. P. 031 101 (1--35)
- Ozgur U., Alivov V., Morkoc H. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2009. Vol. 20. N 10. P. 911--952.
- Устинов А.Б., Srinivasan G. // ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 6. С. 147--150.
- Kim W.J., Chang W., Quadri S.B., Wu H.D., Pond J.M., Kirchoefer S.W., Newman H.S., Chrisey D.B., and Horwits J.S. // Appl. Phys. A. 2000. Vol. 71. N 1. P. 7--10.
- Leach J.H., Liu H., Avrutin V., Rowe E., Ozgur U., Morkoc H., Song Y.-Y, Wu M. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. N 6. P. 064 106 (1--5)
- Demidov V., Edenhofer P., Kalinikos B. // Electron. Lett. 2001. Vol. 37. N 19. P. 1154--1155.
- Ustinov A.B., Srinivasan G., Kalinikos B.A. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. N 3. P. 031 913 (1--3).
- Калиникос Б.А., Ковшиков Н.Г., Колодин П.А., Панчурин И.П. // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1985. Вып. 10 (382). С. 53--55.
- Demidov V.E., Kalinikos B.A., Edenhofer P. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. N 12. P. 10 007--10 016.
- Дмитриев В.Ф., Калиникос Б.А. // Изв. вузов. Физика. 1988. Т. 31. N 11. C. 24--53.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
