Вышедшие номера
Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для стимулирования вторичной отрицательной ионной эмиссии
Исаханов З.А.1, Мухтаров З.Э.1, Умирзаков Б.Е.1, Рузибаева М.К.1
1Институт электроники им. У.А. Арифова АН Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: isakhanov@aie.uz
Поступила в редакцию: 26 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Определены тип, энергия, доза ионов и температура прогрева, которые позволяют обеспечить стабильную минимальную работу выхода поверхности в течение одного цикла эксперимента (не менее 2-3 min). Вторичные ионные масс-спектрограммы снимались с использованием ионов Cs+, Ba+ и Ar+. В качестве объектов исследования использованы образцы Cu, Al и Mo. Установлены оптимальные режимы ионной имплантации и температура активации, обеспечивающие стабильную минимальную работу выхода поверхности исследуемых образцов. Образцы, имплантированные ионами Ba+, выдерживают более высокие температурные и токовые нагрузки, чем образцы, имплантированные ионами Cs+. Однако в случае Cs+ работа выхода уменьшается больше (до 1.9 eV). Показано, что при evarphi=<1.85-1.9 eV практически не наблюдается выход нейтральных распыленных частиц с поверхности.