Приведены результаты исследования электролюминесцентных характеристик светодиода на основе гетероструктуры InGaAsSb/GaAlAsSb, излучающей в области 1.85 mum, при температуре 20-200^oC. Из результатов исследования следует, что с увеличением температуры мощность излучения экспоненциально уменьшается по закону P=~0.4exp(2.05·10³ T). Показано, что, уменьшение мощности излучения обусловлено главным образом ростом скорости Оже-рекомбинации. Установлено, что помимо излучательной рекомбинации зона-зона происходит рекомбинация через акцепторные уровни, приводящая к уширению спектра излучения. С ростом температуры энергия активации акцепторных уровней уменьшается по закону Delta E=~32.9-0.075 T, а также происходит смещение максимума спектра излучения светодиода в длинноволновую область (hnu_max=0.693-4.497·10^-4 T). При анализе экспериментальных результатов исходя из зависимости E_g=hnu_max-(1)/(2) kT получено выражение для изменения ширины запрещенной зоны активной области состава Ga_0.945In_0.055AsSb с температурой E_g=~0.817-4.951·10^-4 T при 290 K<T<495 K. Показано, что сопротивление гетероструктуры с ростом температуры экспоненциально уменьшается по закону R₀=~5.52·10^-2exp(0.672/2kT). В то же время напряжение отсечки U_cut, характеризующее высоту потенциального барьера p-n-перехода, с увеличением температуры уменьшается линейно (U_cut=-1.59 T+534). Установлено, что протекание тока через структуру обусловлено генерационно-рекомбинационным механизмом во всем исследованном интервале температур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.