Проанализированы принципиальные различия между обычной фотографией и съемкой микрообъектов в растровой электронной микроскопии (РЭМ). Описаны основные правила и приемы для получения стереоскопических изображений в РЭМ методом поворота образца, а также техника их наблюдения. Показано, что стереофотография дает правильную оценку пространственного взаимного расположения элементов образцов со сложным микрорельефом и позволяет с высокой точностью рассчитывать глубину (в ряде случаев превышающую размер поля зрения при больших увеличениях) этого рельефа в широких пределах (от 0.5 до 100 mum). На примере развитой поверхности оксида Li₄Ti₅O₁₂ и нитевидных монокристаллов GaAs описана методика такого расчета, основанная на линейных измерениях одного и того же участка образца, снятого до и после его поворота.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.