Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2010, выпуск 11 » Статья стр. 122
<<<>>>
Устойчивость системы кристалл-расплав при выращивании крупногабаритных кристаллов ниобата лития методом низкого уровня расплава
Смирнов П.В.1, Русанов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: PvlSmir@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.
PDF версия
Исследована устойчивость системы кристалл-расплав и скорости кристаллизации по Ляпунову для выращивания кристаллов ниобата лития методом низкого уровня расплава. Рассчитаны зависимости времени релаксации от условий выращивания. Построены расчетные графики переходных процессов при различных возмущениях. Показано, что для получения оптически однородных кристаллов необходимо соблюдать условия устойчивости именно скорости кристаллизации, а не системы кристалл-расплав в целом, причем максимум устойчивости скорости кристаллизации достигается при максимальном градиенте температуры на фронте кристаллизации и минимальном уровне расплава в тигле.
  1. Смирнов П.В. Способ выращивания кристаллов и устройство для его осуществления. Патент РФ N 2320791. Приоритет от 08.06.2006.
  2. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Теоретическая физика. М.: Наука, 1986. Т. 6. 736 с
  3. Смирнов П.В., Антонов П.И. // Тез. докл. национальной конференции по росту кристаллов. М. 2006. С. 482
  4. Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.: Наука, 1988. 240 с
  5. Лейбович В.С. Динамика процессов кристаллизации и расплава. Рост кристаллов / Отв. ред. В.И. Гиваргизов, С.А. Гринберг, М.: Наука, 1986. Т. 15. С. 143
  6. Gabrieyan V.T., Smirnov V.B., Smirnov P.V. // Proc. 4th Int. Conf. Single Crystal Growth and Heat and Mass Transfer. Obninsk, Russia, 2001. P. 258--267
  7. Габриелян В.Т., Смирнов В.Б., Смирнов П.В., Ковалевский Д.В. // "Лазерные исследования в Санкт-Петербургском государственном университете". СПб: СпбГУ, 2004. Вып. 3. С. 255
  8. Ковалевский Д.В., Смирнов П.В. // Там же. 2007. Вып. 5. С. 68
  9. Satunkin G.A. // J. Crystal Growth. 1995. Vol. 154. P. 172--188
  10. Marin C., Ostrogorsky A.G., Foulon D., Jundt D., Motakef S. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. N 10. P. 1379--1381
  11. Шлихтинг Г. Теория пограничного слоя / Пер. Г.А. Вольперта. М.: Наука, 1974. (Schlichting H. Grenzschicht-Theorie. Karlsruhe, 1970)
  12. Golyshev V.D., Gonik M.A. // Crystal Properties and Preparation. 1991. Vol. 36--38. P. 623--630
  13. Редькин Б.С., Сатункин Г.А., Курлов В.Н., Татарченко В.А. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1986. Т. 15. С. 210--216
  14. Tsukada T., Hozawa M., Imaishi N.J. // Chem. Eng. Jpn. 1994. Vol. 27/1. P. 25--31
  15. Anzai Y., Kimura S., Sawada T., Rudolph T., Shigematsu K. // J. Crystal Growth. 1993. Vol. 134. P. 227--234
  16. Galazka Z. // J. Crystal Growth. 1997. Vol. 178. P. 345--349

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme