"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Устойчивость системы кристалл-расплав при выращивании крупногабаритных кристаллов ниобата лития методом низкого уровня расплава
Смирнов П.В.1, Русанов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: PvlSmir@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

Исследована устойчивость системы кристалл-расплав и скорости кристаллизации по Ляпунову для выращивания кристаллов ниобата лития методом низкого уровня расплава. Рассчитаны зависимости времени релаксации от условий выращивания. Построены расчетные графики переходных процессов при различных возмущениях. Показано, что для получения оптически однородных кристаллов необходимо соблюдать условия устойчивости именно скорости кристаллизации, а не системы кристалл-расплав в целом, причем максимум устойчивости скорости кристаллизации достигается при максимальном градиенте температуры на фронте кристаллизации и минимальном уровне расплава в тигле.
  • Смирнов П.В. Способ выращивания кристаллов и устройство для его осуществления. Патент РФ N 2320791. Приоритет от 08.06.2006.
  • Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Теоретическая физика. М.: Наука, 1986. Т. 6. 736 с
  • Смирнов П.В., Антонов П.И. // Тез. докл. национальной конференции по росту кристаллов. М. 2006. С. 482
  • Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.: Наука, 1988. 240 с
  • Лейбович В.С. Динамика процессов кристаллизации и расплава. Рост кристаллов / Отв. ред. В.И. Гиваргизов, С.А. Гринберг, М.: Наука, 1986. Т. 15. С. 143
  • Gabrieyan V.T., Smirnov V.B., Smirnov P.V. // Proc. 4-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Conf. Single Crystal Growth and Heat and Mass Transfer. Obninsk, Russia, 2001. P. 258--267
  • Габриелян В.Т., Смирнов В.Б., Смирнов П.В., Ковалевский Д.В. // "Лазерные исследования в Санкт-Петербургском государственном университете". СПб: СпбГУ, 2004. Вып. 3. С. 255
  • Ковалевский Д.В., Смирнов П.В. // Там же. 2007. Вып. 5. С. 68
  • Satunkin G.A. // J. Crystal Growth. 1995. Vol. 154. P. 172--188
  • Marin C., Ostrogorsky A.G., Foulon D., Jundt D., Motakef S. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. N 10. P. 1379--1381
  • Шлихтинг Г. Теория пограничного слоя / Пер. Г.А. Вольперта. М.: Наука, 1974. (Schlichting H. Grenzschicht-Theorie. Karlsruhe, 1970)
  • Golyshev V.D., Gonik M.A. // Crystal Properties and Preparation. 1991. Vol. 36--38. P. 623--630
  • Редькин Б.С., Сатункин Г.А., Курлов В.Н., Татарченко В.А. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1986. Т. 15. С. 210--216
  • Tsukada T., Hozawa M., Imaishi N.J. // Chem. Eng. Jpn. 1994. Vol. 27/1. P. 25--31
  • Anzai Y., Kimura S., Sawada T., Rudolph T., Shigematsu K. // J. Crystal Growth. 1993. Vol. 134. P. 227--234
  • Galazka Z. // J. Crystal Growth. 1997. Vol. 178. P. 345--349
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.