Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2010, выпуск 10 » Статья стр. 74
<<<>>>
Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов
Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Шпаковский С.В., Wieck A.1
1Ruhr-Universitaet Bochum, Bochum, Germany
Поступила в редакцию: 25 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.
PDF версия
Исследованы кремниевые диоды с p+-n-переходом, изготовленные на слое легированного фосфором эпитаксиального кремния (толщина 48 mum, удельное сопротивление rho=30 Omega·cm), выращенном на кремниевых пластинах, легированных сурьмой (плоскость (111), rho=0.01Omega·cm). Диоды были облучены высокоэнергетичными (3.5 MeV) электронами флюенсами от 5·1015 до 2·1016 cm-2. Показано, что традиционная схема замещения диода, составленная из последовательно соединенного резистора и параллельной RC-цепи, не описывает зависимость электрических потерь tgdelta от частоты переменного тока f в диапазоне 102-3·107 Hz. Предложена эквивалентная схема замещения, учитывающая наряду с емкостью и активным сопротивлением базы n-типа, возросшим вследствие компенсации мелких доноров радиационными дефектами, зависимость емкости области пространственного заряда от частоты f, обусловленную запаздыванием перезарядки радиационных дефектов с глубокими уровнями.
  1. 1ptsmile
  2. Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988. 192 с
  3. Василевский К.В., Гомулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 2. С. 242
  4. Брудный В.Н., Колин Н.Г., Смирнов Л.С. // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 9. С. 1031
  5. McPherson M. // Nucl. Instr. Meth. A. 2002. Vol. 488. N 1--2. P. 100
  6. McPherson M. // Physica B. 2004. Vol. 344. N 1--4. P. 52
  7. Емельянов А.М., Соболев Н.А., Якименко А.Н. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 3. С. 330
  8. Лебедев А.А., Лебедев А.А., Давыдов Д.В. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 1. С. 113
  9. Лебедев А.А., Соболев Н.А., Урунбаев Б.М. // ФТП. 1982. Т. 16. Вып. 10. С. 1874
  10. Прибылов Н.Н., Прибылова Е.И. // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 4. С. 635
  11. Aydin M.E., Akkili c K., Kili co glu T. // Appl. Surf. Sci. 2006. Vol. 253. N 3. P. 1304
  12. Drozdovski N.V., Drozdovskaia L.M., Caverly R.H., Quinn M.J. // Solid State Electron. 2002. Vol. 46. N 11. P. 2001
  13. Kavasoglu A.S., Kavasoglu N., Oktik S. // Solid State Electron. 2008. Vol. 52. N 6. P. 990
  14. Saadoune A., Dehimi L., Sengouga N., McPherson M., Jones B.K. // Solid State Electron. 2006. Vol. 50. N 7--8. P. 1178
  15. Kim J.H., Lee D.U., Kim E.K., Bae Y.H. // Physica B. 2006. Vol. 376--377. P. 181
  16. Campbell D., Chilingarov A., Sloan T. // Nucl. Instr. Meth. A. 2005. Vol. 552. N 1--2. P. 152
  17. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с. [ Milnes A.G. Deep impurities in semiconductors. NY: Wiley, 1973. 544 p.]
  18. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Шпаковский С.В., Ластовский С.Б., Wieck A. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 3. С. 397
  19. Берман Л.С., Данильченко В.Г., Корольков В.И., Солдатенков Ф.Ю. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 5. С. 558
  20. Impedance spectroscopy: Theory, experiment, and applications / Ed. by E. Barsoukov, J.R. Macdonald. Hoboken: Wiley, 2005. 595 p
  21. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972. 104 с
  22. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высш. школа, 1977. 448 с
  23. Мурыгин В.И. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 6. С. 702
  24. Мурыгин В.И., Фаттахдинов А.У., Локтев Д.А., Гундырев В.Б. // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 10. С. 1207
  25. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с
  26. Атабеков Г.И. Основы теории цепей. СПб: Лань, 2006. 432 с
  27. Kumar S., Singh P.K., Chilana G.S., Dhariwal S.R. // Semicond. Sci. Technol. 2009. Vol. 24. N 9. P. 095 001
  28. Kochowski S., Nitsch K., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Szyd owski M. // Appl. Surf. Sci. 2004. Vol. 235. N 3. P. 389
  29. Kochowski S., Nitsch K. // Thin Solid Films. 2002. Vol. 415. N 1--2. P. 133
  30. Kochowski S., Nitsch K., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R. // Thin Solid Films. 2003. Vol. 444. N 1--2. P. 208
  31. Kochowski S., Nitsch K., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 467. N 1--2. P. 190
  32. Sluyters-Rehbach M. // Pure and Appl. Chem. 1994. Vol. 66. N 9. P. 1831--1891
  33. Dyre J.C., Schr der T.B. // Phys. Status Solidi B. 2002. Vol. 230. N 1. P. 5--13
  34. Long A.R. // Adv. Phys. 1982. Vol. 31. N 5. P. 553
  35. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 12. С. 1420
  36. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: МГУ, 1995. 402 с
  37. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Гурин П.М., Ластовский С.Б., Шведов С.В., Шпаковский С.В. // Изв. НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук. 2007. N 3. С. 92.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme