Фотовольтаические детекторы рентгеновского излучения на основе кристаллов CdTe с p-n-переходом
Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г., Иванов Ю.М., Кудряшов А.А., Петров А.Г.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Московская область, Россия
Email: vfd217@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 12 января 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.
Изготовлены детекторы рентгеновского излучения на основе CdTe с p-n-переходами, полученными диффузией In в p-CdTe. Впервые исследованы основные характеристики детектора. Показана высокая чувствительность детектора к рентгеновскому излучению при малых напряжениях смещения (до -50 V) в диапазоне эффективных энергий рентгеновского излучения 28-72 keV. Продемонстрировано преимущество фотовольтаических детекторов на основе CdTe c p-n-переходами перед рентгеновскими детекторами на основе Cd0.9Zn0.1Te.
- Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г., Дикаев Ю.М. и др. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 10. С. 121--124
- Gusano D.A. // Solid State Electron. 1963. Vol. 6. P. 217
- Аркадьева Е.Н., Маслова Л.В., Матвеев О.А. и др. // ФТП. 1967. Т. 1. Вып 5. С. 805
- Аркадьева Е.Н., Маслова Л.В., Матвеев О.А. и др. // ФТП. 1968. Т. 2. Вып. 2. С. 279
- Ivanov Yu.M., Kanevsky V.M., Dvoryankin V.F. et al. // Phys. Stat. Sol. (C)O. 2003. N 3. P. 840--844
- Козлова О.Г. Рост кристаллов. М.: МГУ, 1967. 238 с
- Ivanov Yu.M., Artemov V.V., Kanevsky V.M. et al. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. Vol. 27. P. 371--374
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук