Влияние мелкодисперсных слоев на основе ванадия на кратность фотоответа в структурах с аморфными пленками As2Se3
Прилепов В.Д.1, Гашин П.А.1, Кирица А.Б.1, Споялэ Д.М.1
1Молдавский государственный университет, M Кишинев, Молдавия
Email: compovx@usm.md
Поступила в редакцию: 23 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.
Представлены технологические особенности получения мелкодисперсных структур на основе ванадия, в том числе с разветвленной (фрактальной) поверхностью. Показано, что при нанесении аморфных пленок As2Se3 на полученные фрактальные поверхности кратность фотоответа данной структуры увеличивается.
- Панасюк Л.М. // Тез. докл. Междунар. конгр. по высокочувствительной фотографии и фотонике. М., 1980. C. 318
- Медведев Ю., Гришин А. // ФТТ. 2001. Т. 43. Вып. 5. С. 900--905
- Гашин П.А., Прилепов В.Д., Споялэ Д.М. // Studia Universitaits. Chisinau. 2007. N 7. P. 277--279
- Сидоров А.И., Виноградова О.П., Любимов В.Ю., Нащекин А.В. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. Вып. 3. С. 90--94
- Prilepov V., Neamtu S., Cor sac O. Evaporator. Patent RM 3627. 23.02.2009
- Загоруйко Ю.А., Коваленко Н.О., Федоренко О.А., Федоров А.Г., Матейченко П.В. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. Вып. 4. С. 51--57
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук