ФТТ, 2009, том 51, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние gamma-облучения на диэлектричеcкие свойства и проводимость монокристалла TlInS2

С.Н.Мустафаева, М.М.Асадов\kern1pt*, А.А.Исмайлов

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
Баку, Азербайджан
* Институт химических проблем Национальной академии наук Азербайджана,
Баку, Азербайджан
E-mail: mirasadov@gmail.com

(Поступила в Редакцию 12 февраля 2009 г.
В окончательной редакции 30 марта 2009 г.)

Изучено влияние gamma-облучения на диэлектрические свойства и ac-проводимость слоистого монокристалла TlInS2 в диапазоне частот 5·104-3.5·107 Hz. Показано, что gamma-облучение монокристалла TlInS2 дозой 104-2.25·106 rad приводит к существенному увеличению тангенса угла диэлектрических потерь tgdelta, действительной varepsilon' и мнимой varepsilon'' составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и ac-проводимости sigmaac поперек слоев. Установлено, что в TlInS2 при всех дозах gamma-облучения имеют место потери на электропроводность вплоть до 107 Hz, после чего начинают проявляться релаксационные потери. Облучение монокристалла TlInS2 приводило к увеличению дисперсии tgdelta, varepsilon' и varepsilon''. Показано, что по мере накопления дозы gamma-облучения в монокристалле TlInS2 плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми NF увеличивается (от 5.2·1018 до 1.9·1019 eV-1·cm-3).

PACS: 71.20.Nr, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Jv, 72.30.+q

 PDF версия (527Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster