Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние gamma-облучения на диэлектричеcкие свойства и проводимость монокристалла TlInS2
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Институт химических проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт химических проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: mirasadov@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
Изучено влияние gamma-облучения на диэлектрические свойства и ac-проводимость слоистого монокристалла TlInS2 в диапазоне частот 5·104-3.5·107 Hz. Показано, что gamma-облучение монокристалла TlInS2 дозой 104-2.25·106 rad приводит к существенному увеличению тангенса угла диэлектрических потерь tgdelta, действительной varepsilon' и мнимой varepsilon'' составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и ac-проводимости sigmaac поперек слоев. Установлено, что в TlInS2 при всех дозах gamma-облучения имеют место потери на электропроводность вплоть до 107 Hz, после чего начинают проявляться релаксационные потери. Облучение монокристалла TlInS2 приводило к увеличению дисперсии tgdelta, varepsilon' и varepsilon''. Показано, что по мере накопления дозы gamma-облучения в монокристалле TlInS2 плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми NF увеличивается (от 5.2·1018 до 1.9·1019 eV-1·cm-3). PACS: 71.20.Nr, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Jv, 72.30.+q
- О.Б. Плющ, А.У. Шелег. Кристаллография 44, 5, 873 (1999)
- Н.А. Боровой, Ю.П. Гололобов, А.Н. Горб, Г.Л. Исаенко. ФТТ 50, 10, 1866 (2008)
- С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 1, 48 (1998)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. ФТТ 38, 1, 14 (1996)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. Неорган. материалы 31, 3, 318 (1995)
- E.M. Kerimova, S.N. Mustafaeva, D.A. Guseinova. Presentations of I Eurasian Conf. on nuclear science and its applications. Ankara, Turkey (2001). V.2. P. 932
- А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Куриловч. ФТТ. 45, 1, 68 (2003)
- Е.В. Пешиков. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. Ташкент (1986). 136 с
- Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, И.Ш. Садыхов, А.И. Наджафов, Ф.Т. Салманов. ФТТ 47, 9, 1665 (2005)
- Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 с
- V. Augelli, C. Manfredotti, R. Murri, R. Piccolo, L. Vasanelli. Nuovo Cimento B 38, 2, 327 (1977)
- К.Р. Аллахвердиев, Е.А. Виноградов, Р.Х. Нани, Э.Ю. Салаев, Р.М. Сардарлы, Н.Ю. Сафаров. В кн.: Физические свойства сложных полупроводников. Элм, Баку (1982). С. 55
- M. Pollak. Phil. Mag. 23, 519 (1971)
- В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники. Наука, М. (1988). 191 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
