ФТТ, 2009, том 51, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Начальные стадии роста Ge на поверхности Si(7 7 10)

Р.А.Жачук, К.Н.Романюк, С.А.Тийс, Б.З.Ольшанецкий

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: olshan@isp.nsc.ru

(Поступила в Редакцию 25 декабря 2007 г.
В окончательной редакции 15 апреля 2008 г.)

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследованы начальные стадии роста Ge на поверхности Si(7 7 10), содержащей регулярные ступени высотой в три межплоскостных расстояния. В литературе эта поверхность ранее обозначалась как (557). Изучена зависимость морфологии и структуры поверхности Si(7 7 10) от величины покрытия Ge и температуры его осаждения. Показано, что возможно формирование нанообъектов типа нанопроволок трех видов на этой поверхности.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 07-02-00274).

PACS: 61.30.Hn, 61.46.Hk, 68.37.Ef

 PDF версия (3.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster