Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
"Конденсаторная" модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия 
Email: shuvalov@phys.tsu.ru
Поступила в редакцию: 13 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.
На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN(0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано, что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования. Работа поддержана грантом РФФИ N 06-02-16627-a и вычислительными ресурсами Санкт-Петербургского филиала МСЦ. PACS: 73.40.Gk, 73.40.Kp
- A. Kikuchi, R. Bannai, K. Kishino. Phys. Status Solidi A 188, 187 (2001)
- C.T. Foxon, S.V. Novikov, A.E. Belyaev. Phys. Status Solidi C 0, 2389 (2003)
- A. Kikuchi, K. Kishino. Appl. Phys. Lett. 81, 1729 (2002)
- А.Н. Разжувалов, С.Н. Гриняев. ФТП 42, 595 (2008)
- S. Golka, C. Pflugl, W. Schrenk, G. Strasser, C. Skierbiszewski, M. Siekacz, I. Grzegory, S. Porowski. Appl. Phys. Lett. 88, 172 106 (2006)
- A.M. Kurakin, S.A. Vitusevich, S.V. Danylyuk, A.V. Naumov, C.T. Foxon, S.V. Novikov, N. Klein, H. Luth, A.E. Belyaev. Phys. Status Solidi C 3, 2265 (2006)
- A.E. Belyaev, C.T. Foxon, S.V. Novikov, O. Makarovsky. Appl. Phys. Lett. 83, 3626 (2003)
- A. Kikuchi, K. Kishino. Appl. Phys. Lett. 83, 3628 (2003)
- M. Hermann, E. Monroy, A. Helman, B. Baur, M. Albrecht, B. Daudin, O. Ambacher. Phys. Status Solidi C 1, 2210 (2004)
- M.V. Petrychuk, A.E. Belyaev, A.M. Kurakin, S.V. Danylyuk, N. Klein, S.A. Vitusevich. Appl. Phys. Lett. 91, 222 112 (2007)
- S. Leconte, S. Golka, G. Pozzovivo, G. Strasser, T. Remmele, M. Albrecht, E. Monroy. Phys. Status Solidi C 5, 431 (2008)
- K.M. Indlekofer, E. Dona, J. Malindretos, M. Bertelli, M. Kocan, A. Rizzi, H. Luth. Phys. Status Solidi B 234, 769 (2002)
- С.Н. Гриняев, А.Н. Разжувалов. ФТП 37, 450 (2003)
- С.Н. Гриняев, А.Н. Разжувалов. ФТП 40, 695 (2006)
- С.Н. Гриняев, А.Н. Разжувалов. ФТТ 43, 529 (2001)
- D.Y. Ko, J.C. Inkson. Phys. Rev. B 38, 9945 (1988)
- С.Н. Гриняев, А.Н. Разжувалов. Тез. докл. IX Всерос. конф. "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III--V". Томск (2006). С. 333
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1977). С. 225
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
