Издателям
Вышедшие номера
Начальные стадии роста Ge на поверхности Si(7 7 10)
Жачук Р.А.1, Романюк К.Н.1, Тийс С.А.1, Ольшанецкий Б.З.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: olshan@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследованы начальные стадии роста Ge на поверхности Si(7 7 10), содержащей регулярные ступени высотой в три межплоскостных расстояния. В литературе эта поверхность ранее обозначалась как (557). Изучена зависимость морфологии и структуры поверхности Si(7 7 10) от величины покрытия Ge и температуры его осаждения. Показано, что возможно формирование нанообъектов типа нанопроволок трех видов на этой поверхности. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 07-02-00274). PACS: 61.30.Hn, 61.46.Hk, 68.37.Ef
  • R.A. Zhachuk, S.A. Teys, A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky. Surf. Sci. 565, 37 (2004)
  • Р.А. Жачук, С.А. Тийс, Б.З. Ольшанецкий. Письма в ЖЭТФ 79, 467 (2004)
  • J. Viernow, D.Y. Petrovykh, F.-K. Men, A. Kirakosian, J.-L. Lin, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett. 74, 2125 (1999)
  • Zheng Gai, R.G. Zhao, W.S. Yang, T. Sakurai. Phys. Rev. B 61, 9928 (2000)
  • F.J. Himpsel, A. Kirakosian, J.N. Crain, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh. Solid State Commun. 117, 149 (2001)
  • A. Kirakosian, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, J.N. Crain, F.J. Himpsel. J. Appl. Phys. 90, 3286 (2001)
  • J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, A. Kirakosian, H. Rauscher, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett. 78, 829 (2001)
  • J.N. Crain, J.L. McChesney, Fan Zheng, M.C. Gallagher, P.C. Snijders, M. Bissen, C. Gundelach, S.C. Erwin, F.J. Himpsel. Phys. Rev. B 69, 125 401 (2004)
  • К.Н. Романюк, С.А. Тийс, Б.З. Ольшанецкий. ФТТ 48, 1716 (2006)
  • G. Jin, Y. S. Tang, J.L. Liu, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett. 74, 2471 (1999)
  • H. Omi, T. Ogino. Phys. Rev. B 59, 7521 (1999)
  • B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys. Surf. Sci. 230, 184 (1990)
  • В.И. Машанов, Б.З. Ольшанецкий. Письма в ЖЭТФ 36, 290 (1982)
  • R.J. Phaneuf, E.D. Williams. Phys. Rev. B 41, 2991 (1990)
  • Jian Wei, X.-S. Wang, J.L. Goldberg, N.C. Bartelt, E.D. Williams. Phys. Rev. Lett. 68, 3885 (1992)
  • A. Kirakosian, R. Bennewitz, J.N. Crain, Th. Fauster, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett. 79, 1608 (2001)
  • S.A. Teys, K.N. Romanyuk, R.A. Zhachuk, B.Z. Olshanetsky. Surf. Sci. 600, 4878 (2006)
  • S.A. Teys, B.Z. Olshanetsky. Phys. Low-Dim. Struct. 1/2, 37 (2002)
  • GH. J. Gossmann, J.G. Bean, L.C. Feldman, E.G. McRae, I.K. Robinson. Phys. Rev. Lett. 55, 1106 (1985)
  • Л.В. Соколов, М.А. Ламин, О.П. Пчеляков, С.И. Стенин, А.И. Торопов. Поверхность 9, 75 (1985)
  • U. Kohler, O. Jusko, G. Pietsch, B. Muller, M. Henzler. Surf. Sci. 248, 321 (1991)
  • R.S. Becker, J.A. Golovchenko, B.S. Swartzentruber. Phys. Rev. B 32, 8455 (1985)
  • S.A. Teys, I.G. Kozhemyako, B.Z. Olshanetsky. Phys. Low-Dim. Struct. 7/8, 81 (1999)
  • R. Hild, C. Seifert, M. Kammler, F.-J. Meyer zu Heringdorf, M. Horn-von-Hoegen, R.A. Zhachuk, B.Z. Olshanetsky. Surf. Sci. 512, 117 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.