ФТТ, 2009, том 51, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

\glqq Конденсаторная\grqq модель гистерезиса туннельного тока
в структурах w-GaN/AlGaN(0001)

А.Н.Разжувалов, С.Н.Гриняев

Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета,
Томск, Россия
E-mail: shuvalov@phys.tsu.ru, gsn@phys.tsu.ru

(Поступила в Редакцию 13 марта 2008 г.)

На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN(0001) развита \glqq конденсаторная\grqq модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано, что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая \glqq однорезонансная\grqq петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования.

Работа поддержана грантом РФФИ N 06-02-16627-a и вычислительными ресурсами Санкт-Петербургского филиала МСЦ.

PACS: 73.40.Gk, 73.40.Kp

 PDF версия (583Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster