ФТТ, 2007, том 49, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптическая ширина запрещенной зоны GaAs в мегагауссных магнитных полях

В.Я.Алешкин, Н.В.Закревский

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: aleshkin@ipm.sci-nnov.ru

(Поступила в Редакцию 31 июля 2006 г.)

Рассчитана ширина запрещенной зоны GaAs в магнитных полях до 10 MG в рамках пятизонной kp-модели. Найдены правила отбора для межзонных переходов электронов в сильных магнитных полях и вычислены зависимости вероятностей межзонных переходов от магнитного поля. Проведено сопоставление результатов расчетов электронных спектров в рамках пятизонной модели, модели Кейна и в приближении сильной связи. Показано, что проведенные расчеты согласуются с экспериментальными результатами при учете влияния \glqq хвостов\grqq плотности состояний и экситонных эффектов на поглощение света.

Работа выполнена при поддержке МНТЦ (грант N 2293).

PACS: 78.20.Ls, 78.66.Fd

 PDF версия (329Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster